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本发明公开了一种制造半导体产品的新型工艺，包括以下步骤：制备包括硅衬底的第一衬底。将无孔半导体层形成在硅衬底上，在硅衬底和无孔半导体层中的至少一层内形成离子注入层；将第一衬底粘接到第二衬底上得到无孔半导体层置于其内的多层结构，在离子注入层处...
该专利属于佳能株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过佳能株式会社授权不得商用。

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