【技术实现步骤摘要】
技术背景诸如集成电路(IC)一类半导体器件的制造通常需要在有反应气体的情况下，热处理硅晶园片。在该工艺处理期间，由于器件常含有对工艺处理环境微小变化敏感的尺寸小于1μm的电路元件，所以必须仔细地控制器件暴露在其中的温度和气体浓度。半导体制造工业通常或以水平或以竖直载体对晶园片进行工艺处理。通常称为“舟”的水平载体具有三个或四个水平放置的设计成半圆形的棒条，而在每一棒条中以有规则的间距设置有面向内的凹槽。每一组凹槽限定携带竖直放置的晶园片用的竖直空间。通常被称为“竖直支架”的竖直载体具有三个或四个竖直放置的设计成半圆形的柱杆，而在每根柱杆中以有规则的间距设置有狭槽，以限定携带水平放置的晶园片用空间。传统的竖直支架如图1所示。该支架典型地具有顶盘、底盘和三个或四个用于把顶盘固定到底盘上的柱杆。每个狭槽之间被称为“牙齿”的柱杆部分是等距离隔开的以便支撑从底盘开始以有规则的间距并与底盘平行的晶园片。然后，将整个支架放置在工艺处理晶园片用的竖直炉内。由于在竖直支架上处理的晶园片在在其表面上经受较小的温度梯度，故半导体制造商正日益转向竖直炉。然而，竖直炉也有缺点。正如图1现有...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种支撑多个彼此隔开的、基本上水平且平行的半导体晶园片用的竖直支架，其特征在于，所述竖直支架包括a)竖直支撑装置，它包括i)至少一根竖直柱杆，每根柱杆具有上端和下端，ii)顶盘，和iii)底盘，将至少一根所述柱杆的所述上端固定在顶盘上，而将至少一根所述柱杆的所述下端固定在所述底盘上，以及b)多个竖直隔开的晶园片支撑装置，它们从所述竖直支撑装置延伸出来以限定多个支撑所述晶园片用的支撑层，其中，所述晶园片支撑装置是诸突出部分，每个所述突出部分由端接在晶园片平台中的臂构成，俾使每个所述支撑层中的至少一个所述晶园片平台和其所支撑晶园片之间最深的接触处在晶园片半径的20％和80％(从所述晶园片的边缘算起)之间的区域，和其中所述诸臂则连续向上地倾斜突出，并端接在晶园片平台中。2.如权利要求1所述的支架，其特征在于，每个所述支撑层中的至少三个所述晶园片平台的每个平台和其所支撑晶园片之间所述最深的接触是处在所述晶园片半径的20％和80％(从所述晶园片的所述边缘算起)之间的区域。3.如权利要求1所述的支架，其特征在于，每个所述支撑层中的至少一个所述晶园片平台和其所支撑的晶园片之间所述最深的接触是处在所述晶园片半径的33％和66％(从所述晶园片的所述边缘算起)之间的区域。4.如权利要求1所述的支架，其特征在于，每个所述支撑层中的至少三个所述晶园片平台的每个平台和其所支撑的晶园片之间所述最深的接触是处在所述晶园片半径的33％和66％(从所述晶园片的所述边缘算起)之间的区域。5.如权利要求1所述的支架，其特征在于，所述晶园片平台是水平的。6.如权利要求1所述的支架，其特征在于，所述柱杆具有使其阴影投射在不大于30％的所述晶园片上的结构，其中所述的阴影百分比通过确定反应气体和/或热量在不被所述柱杆阻碍的通道中从所述柱杆周边可直接径向地行进到达所述晶园片表面的百分比加以计算。7.如权利要求6所述的支架，其特征在于，所述诸柱杆投射阴影于不大于10％的所述晶园片上。8.如权利要求1所述的支架，其特征在于，至少所述臂的一部分具有大约1μm的粗糙度(Ra)。9.如权利要求1所述的支架，其特征在于，所述晶园片支撑装置具有这样的结构，其中，每个所述支撑层的所述诸晶园片平台共面至大约0.05mm以内。10.如权利要求1所述的支架，其特征在于，所述支撑层的所述诸晶园片平台和其所支撑的晶园片之间总的接触面积是处在所述晶园片表面积的大约0.02％和大约1％之间。11.如权利要求1所述的支架，其特征在于，它由再结晶的碳化硅构成。12.如权利要求1所述的支架，其特征在于，它具有CVD碳化硅的外部覆盖层。13.一种支撑多...
【专利技术属性】
技术研发人员：约翰·A·托马诺维什，
申请(专利权)人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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