元件角隅阈值在几何方面的控制制造技术

圆化场效应晶体管导电沟道的各角隅或在沟渠结构的各边缘形成凹口，其中栅氧化膜和栅极的一部分形成得使栅氧化膜和栅极有效地卷绕晶体管导电沟道的一部分。特别是这种晶体管是按亚微米设计规程制造时，栅极的几何结构使导电沟道中的电场可以无需按一定角度注入杂质加以改变就可调节角隅导电在导电沟道中的作用。这样，用简单、有效和生产率高的制造工艺就可以修整接近截止点的导电性能，使其适合特定用途，而且可以减小导通／截止阈电压。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的说来涉及场效应晶体管的制造，更具体地说，涉及如何在亚微米场效应晶体管中产生合乎要求的导通/截止电压。目前，场效应晶体管已成了大多数高集成度小型数字电子电路精选的有源电子元件。场效应晶体管的基本工作原理是用加到与元件的导电沟道绝缘的栅电极上的电压产生电场，由这个电场控制构成元件导电沟道的半导体材料体中的载流子数目的。场效应晶体管结构的简化提高了生产率，相对降低了工艺费用。此外，元件简化了就可以在单个圆片或芯片上形成更多的电路，从而可以将元件制成特小的体积，可以加快信号的传输时间，提高抗扰度，改善负载电容和其它是气参数并大大提高元件和绝缘结构设计的灵活性和加工制造的经济性。此外，场效应晶体管的几何结构简化了，还可以将晶体管设计得使其合乎多种特殊目的和用途的要求。举例说，将导电沟道掺杂可以降低阈值，提高导通电流。不然也可以使例如动态存储器阵列中的阈值保持较高的阈值电平。短沟道效应大部分可以通过所谓轻掺杂的漏极结构等加以避免。然而，导电沟道内产生的电场可能不均匀，特别是在通常与栅极边缘重合的导电沟道的侧缘(通常叫做“角隅”)更是如此。因此，沟道各角隅的导电特性(以下称角隅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管，包括：一个导电沟导，在周围环绕有沟槽结构的有源区内形成；一层栅氧化膜和一个栅电极，在所述导电沟道上形成；且所述栅氧化膜和栅电极的一部分沿所述导电沟道在所述导电沟道与所述沟槽结构的界面侧的一部分延伸。

【技术特征摘要】
US 1996-11-22 7532341.一种场效应晶体管，包括一个导电沟导，在周围环绕有沟槽结构的有源区内形成；一层栅氧化膜和一个栅电极，在所述导电沟道上形成；且所述栅氧化膜和栅电极的一部分沿所述导电沟道在所述导电沟道与所述沟槽结构的界面侧的一部分延伸。2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅氧化膜和栅电极的所述部分的一部分沿所述有源区的所述界面延伸。3.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅氧化膜和栅电极的所述部分的一部分沿所述沟槽的一个区内的所述界面延伸。4.如权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅氧化膜和栅电极的所述部分的一部分沿所述沟槽结构的一个区内的所述界面延伸。5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述导电沟道的宽度小于1微米。6.一种集成电路，包括一场效应晶体管，包括一个导电沟道，在周围环绕有沟槽结构的有源区内形成；一层栅氧化膜和一个栅电极，在所述导电沟道上形成；且所述栅氧化膜和栅电极的一部分沿所述导电沟道在所述导电沟道在所述导电沟道与所述沟槽结构的界面侧的一部分延伸。7.如权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述栅氧化膜和栅电极所述部分的一部分沿所述有源区内的所述界面延伸。8.如权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述栅氧化膜和栅电极的一部分沿所述沟槽结构的一个区内的所述界面延伸。9.如权利要求7所述的集成电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：WS贝尔里，J福尔，W黑斯赫，RL莫勒尔，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[]