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圆化场效应晶体管导电沟道的各角隅或在沟渠结构的各边缘形成凹口，其中栅氧化膜和栅极的一部分形成得使栅氧化膜和栅极有效地卷绕晶体管导电沟道的一部分。特别是这种晶体管是按亚微米设计规程制造时，栅极的几何结构使导电沟道中的电场可以无需按一定角度注入...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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