用由假图形所形成的光刻胶掩模将层精确构图成目标图形的方法技术

由于显影后烘烤中的收缩而使光刻胶掩模（２３ａ）的表面中出现张力，而形成于光刻胶掩模中的粘附力（２３ｃ）吸收了该张力，因而保持对半导体衬底（２２）粘附力，防止了光刻胶图形出现不希望的变形。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于半导体器件的制造方法的光刻技术特别涉及将层精确构图成目标构形的方法。半导体器件制造方法中用光刻技术，以便在半导体衬底上形成缩微图形。各种构图方法中均包括光刻技术。附图说明图1A至1E说明了一种现有构图方法。现有的构图方法是在半导体衬底2中形成槽。首先，在半导体衬底2的表面上滴正光刻胶溶液。然后，将正光刻胶溶液旋涂在整个表面上。旋涂于整个表面上的正光刻胶经过曝光前烘烤，使厚1μm的正光刻胶层了涂覆在半导体衬2的表面上，如图1A所示。将半导体衬底2放入对准器(示画出)内，使光掩模4移入对准器的光路中，掩模4有构图于玻璃板4b上的不透光部分4a，而不透光部分4a构成掩模图形。光通过光掩模4照射到光刻胶层3上，如图1B所示，并使光刻胶层3部分可溶，也就是说，掩模图形转移到光刻胶层上。使光刻胶层3显影，然后干燥，由光刻胶层3构成光刻胶掩模3a，如图1c所示，光刻胶掩模3a的图形与光掩模图形相同。半导体衬底2有一部分不被光刻胶掩模3a覆盖。因而，部分露出被光刻胶掩模3a限定的槽。随后，光刻胶掩模3a在100℃经显影后烘烤，提高光刻胶掩模3a与半导体衬底2之间的附着力。光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种将层（２２，３１）构成图形的方法，包括下述工艺步骤：（ａ）制备光刻胶层（２３；３４）（ｂ）把掩模图形（２４ａ）转移到所述光刻胶层（２３；３４）上；（ｃ）将所述光刻胶层（２３；３４）中的所述掩模图形（２４ａ）显影，将所述光刻胶 层构成光刻胶掩模（２３ａ；３４ａ）；（ｄ）烘烤所述掩模（２３ａ；３４ａ），提高附着力；（ｅ）用所述光刻胶掩模（２３ａ；３４ａ）将层（２２；３１）构成图形，其特征是：所述掩模图形有，用于将所述层（２２；３１）构成所述图形的主图 像（２４ｃ；２５ａ），和用于在所述抗蚀胶层（２３；３４）中构成至少一个槽（２３ｃ；３４ｃ）的...

【技术特征摘要】
JP 1994-12-28 327512/941.一种将层(22，31)构成图形的方法，包括下述工艺步骤(a)制备光刻胶层(23；34)(b)把掩模图形(24a)转移到所述光刻胶层(23；34)上；(c)将所述光刻胶层(23；34)中的所述掩模图形(24a)显影，将所述光刻胶层构成光刻胶掩模(23a；34a；(d)烘烤所述掩模(23a；34a)，提高附着力；(e)用所述光刻胶掩模(23a；34a)将层(22；31)构成图形，其特征是所述掩模图形有，用于将所述层(22；31)构成所述图形的主图像(24c；25a)，和用于在所述抗蚀胶层(23；34)中构成至少一个槽(23c；34c)的假图像(24d；25b)，以使所述槽(23c；34c)在所述步骤C中构成在所述抗蚀胶掩模中(23a；34a)。2.按权利要求1的方法，其中所述步骤(b)包括下述各分步骤(b-1)，用有所述掩模图形(24a)的光掩模(24)覆盖所述抗蚀胶层(23；34)，和...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐仓直喜，
申请(专利权)人：NEC化合物半导体器件株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]