利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法技术

本发明专利技术提供了一种利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米ＣＭＯＳ器件的方法，属于超大规模集成电路技术领域。该方法依次包括以下步骤：设计单元版图；器件隔离、栅氧化和栅多晶硅淀积，此步骤之前根据需要制作阱；利用侧墙转移实现栅线条；淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成侧墙；利用多晶硅固相扩散实现互补ＣＭＯＳ　ＬＤＤ区；淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成最终器件的侧墙；采用常规后续工艺形成源漏，刻蚀接触孔，形成金属连线，完成器件之间的连接。本发明专利技术方法避免了极细栅线条和超浅结制作对半导体设备的苛刻要求，工艺简单易行，具有很大的优越性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及超大规模集成电路(ULSI)
中纳米CMOS器件和电路的制备方法，尤其是利用侧墙转移实现纳米级MOS晶体管栅线条和利用重掺杂多晶硅做固相扩散源实现CMOS LDD区超浅结，从而最终实现纳米级CMOS器件和电路的方法。目前，纳米级细栅线条制作方法主要有传统的光刻技术以及各种类光刻技术，如深紫外光刻、软X射线光刻、电子束直写等；以及各种图形转移技术，如等离子体灰化、侧墙转移等。目前应用比较多的光刻技术是KrF248nm光源和ArF193nm光源Stepper光刻技术，光刻尺寸为0.25～0.18μm，是工业界的主流生产技术，通过等离子体灰化(ashen)或者移相掩摸技术可以用于亚0.1μm栅长器件的生产。目前这种光刻机极其昂贵，而且对工作环境的要求极其苛刻。超深紫外光刻方法尚处于研究阶段，其采用13nm波长近X射线做光源，目前没有适宜的辐射源，多层薄膜光学透镜的制造也很困难，也没有合适的掩膜版制造技术。X射线光刻技术应用于亚0.1μm器件的研制，目前只在IBM公司有比较多的报道。电子束直写技术是目前实验室中制作纳米线条的主要手段，由于产出率低、成本高，所以应用到本文档来自技高网...

【技术保护点】
利用侧墙和多晶硅固相扩散制作ＣＭＯＳ器件的方法，依次包括以下步骤： （１）设计单元版图：同常规工艺版图相比，没有多晶硅栅这层掩膜版，另外增加了一层用于形成侧墙的掩膜版，增加一层用于刻蚀掉不必要的侧墙部分的掩膜版； （２）进行器件隔离、栅氧化和栅多晶硅淀积；此步骤之前如果需要制作阱，则根据阈值电压的要求完成阱的制作； （３）利用侧墙转移实现栅线条； （４）淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成侧墙； （５）利用多晶硅固相扩散实现互补ＣＭＯＳ ＬＤＤ区； （６）淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成最终器件的侧墙； （７）采用常规后续工艺形成源漏...

【技术特征摘要】
1.利用侧墙和多晶硅固相扩散制作CMOS器件的方法，依次包括以下步骤(1)设计单元版图同常规工艺版图相比，没有多晶硅栅这层掩膜版，另外增加了一层用于形成侧墙的掩膜版，增加一层用于刻蚀掉不必要的侧墙部分的掩膜版；(2)进行器件隔离、栅氧化和栅多晶硅淀积；此步骤之前如果需要制作阱，则根据阈值电压的要求完成阱的制作；(3)利用侧墙转移实现栅线条；(4)淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成侧墙；(5)利用多晶硅固相扩散实现互补CMOS LDD区；(6)淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成最终器件的侧墙；(7)采用常规后续工艺形成源漏，刻蚀接触孔，形成金属连线，完成器件之间的连接。2.如权利要求1所述的制作CMOS器件的方法，其特征在于利用侧墙转移实现栅线条的方法依次包括以下步骤(1)刻蚀部分多晶硅；(2)在多晶硅上淀积氮化硅；(3)淀...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文安，刘金华，黄如，张兴，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]