于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法技术

本公开涉及一种于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法，包括步骤：提供具有至少一沟渠的半导体基板；于该半导体基板的该沟渠内形成底层栅极氧化物区及遮蔽栅极多晶硅区；以高温等离子体沉积、多晶硅回蚀及氧化物回蚀于该遮蔽栅极多晶硅区上形成多晶硅间氧化物区；以及于该多晶硅间氧化物区上形成栅极氧化物区及栅极多晶硅区。通过使用回蚀工艺取代传统化学机械抛光工艺，可使制造遮蔽栅极结构的制造成本降低，进而达到降低场效应晶体管总成本的功效。同时，遮蔽栅极结构可有效降低场效应晶体管的栅极电荷，以达到提升场效应晶体管整体表现的功效。

【技术实现步骤摘要】
于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法
本公开涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管，尤其涉及一种形成多晶硅间氧化物以于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法。
技术介绍
在半导体工业中，最为常见的主流产品应非金属氧化物半导体场效应晶体管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)莫属。其中，又以沟渠式金属氧化物半导体场效应晶体管(TrenchMOSFET)具有较佳的特性，而逐渐取代传统的金属氧化物半导体场效应晶体管。于各式各样的沟渠式金属氧化物半导体场效应晶体管中，由于遮蔽栅极沟渠式金属氧化物半导体场效应晶体管的遮蔽电极能有效降低栅极-漏极电容和改善晶体管的击穿电压，遂成为当今业界的研发重点。请参阅图1A至图1C，其为于金属氧化物半导体场效应晶体管形成遮蔽栅极的传统方法的流程结构示意图。首先，于半导体基板1进行硬质掩模层(HardMask)11的沉积，并于半导体基板1及硬质掩模层11进行沟渠图形布建；然后，对硬质掩模层11进行蚀刻；接着，进行沟渠的光刻工艺（即黄光工艺），以形成沟渠12；最后则对沟渠12进行蚀刻，例如干蚀刻，而形成如图1A所示的结构。随后，在硬质掩模层11被移除后，于沟渠12处进行底层栅极氧化物121的成长，并进行遮蔽栅极多晶硅122的沉积，再对遮蔽栅极多晶硅进行回蚀(Etchback)，以形成如图1B所示的结构。跟着，在图1B所示的结构完成后，进行高密度等离子体(HighDensityPlasma,HDP)氧化物沉积步骤，并以化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)法进行表面抛光，以形成多晶硅间氧化物(Inter-PolyOxide,IPO)123；最后，则进行栅极氧化物124的沉积步骤以及栅极多晶硅125的沉积步骤，以形成如图1C所示的结构。至此，以传统方法形成的金属氧化物半导体场效应晶体管的遮蔽栅极结构已制造完成，然因传统方法所用形成多晶硅间氧化物123的化学机械抛光法所需的制造成本相当高昂，使得整个场效应晶体管的总成本居高不下，实有进一步改进的必要。
技术实现思路
本公开的主要目的是提供一种于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法，以解决现有场效应晶体管的制造成本高昂且居高不下的缺点。本公开的另一目的是提供一种于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法，通过使用回蚀工艺形成多晶硅间氧化物区以取代传统的化学机械抛光工艺，可使制造遮蔽栅极结构的制造成本降低，进而达到降低场效应晶体管总成本的功效。同时，遮蔽栅极结构可有效降低场效应晶体管的栅极电荷，以达到提升场效应晶体管整体表现的功效。为达上述目的，本公开的一较广实施方式提供一种于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法，包括步骤：(a)提供具有至少一沟渠的半导体基板；(b)于该半导体基板的该沟渠内形成底层栅极氧化物区及遮蔽栅极多晶硅区；(c)以高温等离子体沉积、多晶硅回蚀及氧化物回蚀于该遮蔽栅极多晶硅区上形成多晶硅间氧化物区；以及(d)于该多晶硅间氧化物区上形成栅极氧化物区及栅极多晶硅区。附图说明图1A至图1C是于金属氧化物半导体场效应晶体管形成遮蔽栅极的传统方法的流程结构示意图。图2A至图2D是本公开优选实施例的于金属氧化物半导体场效应晶体管形成遮蔽栅极的方法的流程结构示意图。其中，附图标记说明如下：1：半导体基板11：硬质掩模层12：沟渠121：底层栅极氧化物122：遮蔽栅极多晶硅123：多晶硅间氧化物124：栅极氧化物125：栅极多晶硅2：半导体基板21：沟渠22：底层栅极氧化物区23：遮蔽栅极多晶硅区24：多晶硅间氧化物区25：栅极氧化物区26：栅极多晶硅区27：氧化物层具体实施方式体现本公开特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本公开能够在不同的实施方式上具有各种的变化，其皆不脱离本公开的范围，且其中的说明及图示在本质上当作说明之用，而非架构于限制本公开。请参阅图2A至图2D，其是本公开优选实施例的于金属氧化物半导体场效应晶体管形成遮蔽栅极的方法的流程结构示意图。如图2A至图2D所示，本公开优选实施例的于金属氧化物半导体场效应晶体管形成遮蔽栅极的方法包括下述步骤：首先，提供具有至少一沟渠21的半导体基板2，例如沟渠式P型半导体基板或沟渠式N型半导体基板，但不以此为限；其次，于半导体基板2的沟渠21内形成底层栅极氧化物区22及遮蔽栅极多晶硅区23；然后，以高温等离子体(HighTemperaturePlasma,HTP)沉积、多晶硅回蚀及氧化物回蚀于遮蔽栅极多晶硅区23上形成多晶硅间氧化物区24，且多晶硅间氧化物区24优选以自对准方式及选择性蚀刻的方式形成；最后，于多晶硅间氧化物区24上形成栅极氧化物区25与栅极多晶硅区26。通过使用回蚀工艺形成多晶硅间氧化物区以取代传统的化学机械抛光工艺，可使制造遮蔽栅极结构的制造成本降低，进而达到降低场效应晶体管总成本的功效。同时，遮蔽栅极结构可有效降低场效应晶体管的栅极电荷，以达到提升场效应晶体管整体表现的功效。于一些实施例中，提供具有至少一沟渠21的半导体基板2的步骤可进一步包括步骤：首先，提供半导体基板2；其次，于半导体基板2进行氧化物层27的沉积步骤，该氧化物层27可以例如是但不限于硬质掩模层；然后，于半导体基板2及氧化物层27进行沟渠图形布建；接着，对氧化物层27进行蚀刻，例如湿蚀刻或化学蚀刻等；再者，进行沟渠图形布建部分的光刻工艺（即黄光工艺），以形成沟渠21；最后则对沟渠21进行蚀刻，例如干蚀刻，以形成如图2A所示的结构。根据本专利技术的构想，于半导体基板2的沟渠21内形成底层栅极氧化物区22及遮蔽栅极多晶硅区23的步骤可进一步包括步骤：首先，在氧化物层27被移除后，于沟渠21的底部进行栅极氧化物的成长，以形成底层栅极氧化物区22；其次，于底层栅极氧化物区22上进行多晶硅的沉积步骤，以形成遮蔽栅极多晶硅区23；最后，对遮蔽栅极多晶硅区23进行回蚀，以形成如图2B所示的结构。根据本专利技术的构思，以高温等离子体沉积、多晶硅回蚀及氧化物回蚀于遮蔽栅极多晶硅区23上形成多晶硅间氧化物区24的步骤可进一步包括步骤：首先，以高温等离子体沉积的方式进行氧化物沉积，且优选使用窄颈(NarrowNeck)的高温等离子体氧化物的悬垂图形轮廓形成多晶硅止挡区，但不以此为限；其次，进行多晶硅掩模(MaskPoly)的沉积步骤，且由于多晶硅具有共形特性，故可于沟渠21内形成空穴；然后，进行多晶硅回蚀的步骤，其方式主要是选择性蚀刻的方式，通过多晶硅对氧化物具有高蚀刻选择性的特性，蚀刻并停止于前述步骤的多晶硅止挡区，亦即蚀刻至高温等离子体氧化物的薄膜而停止；接着，进行氧化物回蚀的步骤，由于高温等离子体氧化物对多晶硅亦具有高蚀刻选择性的特性，因此沟渠21内的氧化物可有效地受到多晶硅薄膜的保护；最后，进行多晶硅的移除步骤及高温等离子体的部分氧化物移除步骤，以完成最终的多晶硅间氧化物区24，并形成如图2C所示的结构。由于本公开形成多晶硅间氧化物区24的方式通过所谓自对准的方式以及回蚀工艺，其成本远低于现有方法中采用化学机械抛光的方式，故本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法，包括步骤：(a)提供具有至少一沟渠的半导体基板；(b)于该半导体基板的该沟渠内形成底层栅极氧化物区及遮蔽栅极多晶硅区；(c)以高温等离子体沉积、多晶硅回蚀及氧化物回蚀于该遮蔽栅极多晶硅区上形成多晶硅间氧化物区；以及(d)于该多晶硅间氧化物区上形成栅极氧化物区及栅极多晶硅区。

【技术特征摘要】
1.一种于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法，包括步骤：(a)提供具有至少一沟渠的半导体基板；(b)于该半导体基板的该沟渠内形成底层栅极氧化物区及遮蔽栅极多晶硅区；(c)以高温等离子体沉积、多晶硅回蚀及氧化物回蚀于该遮蔽栅极多晶硅区上形成多晶硅间氧化物区，其中该步骤(c)更包括步骤：(c1)进行高温等离子体的氧化物的沉积；(c2)进行多晶硅掩模的沉积；(c3)对该多晶硅掩模进行回蚀；(c4)对该氧化物进行回蚀；以及(c5)移除该多晶硅掩模及部分的该氧化物，以形成该多晶硅间氧化物区；以及(d)于该多晶硅间氧化物区上形成栅极氧化物区及栅极多晶硅区。2.如权利要求1所述的于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法，其中该步骤(a)更包括步骤：(a1)提供该半导体基板；(a2)于该半导体基板沉积氧化物层；(a3)于该半导体基板及该氧化物层进行沟渠图形布建；(a4)蚀刻该氧化物层；(a5)进行沟渠图形布建部分的光刻工艺，以形成该沟渠；以及(a6)蚀刻该沟渠。3.如权利要求2所述的于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法，其中该氧化物层为硬质掩模层，该步骤(a4)通过湿蚀刻的方式实现，且该步骤(a6)通过干蚀刻的方式实现。...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖世麒，
申请(专利权)人：台湾茂矽电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71