温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及一种于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法，包括步骤：提供具有至少一沟渠的半导体基板；于该半导体基板的该沟渠内形成底层栅极氧化物区及遮蔽栅极多晶硅区；以高温等离子体沉积、多晶硅回蚀及氧化物回蚀于该遮蔽栅极多晶硅区上形成...
该专利属于台湾茂矽电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾茂矽电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。