本公开提供一种瞬态电压抑制二极管结构及其制造方法。其结构包括P型基层板、N型外延层、P+型植入层、N+型植入层、深层沟渠部、介电质层以及第一金属层。N型外延层设置于P型基层板。P+型植入层与N+型植入层，嵌设于N型外延层上，且彼此分离设...

本发明提供一种瞬态电压抑制二极管结构及其制造方法。瞬态电压抑制二极管结构包括基板、N-型外延层，第一金属层、第一N+型注入层、深层N+型注入层以及多个多晶柱。N-型外延层设置于基板上，第一金属层设置于N-型外延层上，且组配形成工作电压端...

本公开提供一种二极管结构及其制造方法。其结构包括第一金属层、第一型的导电性半导体层、第二型的导电性半导体层、沟渠部以及第二金属层。第一型的导电性半导体层形成于第一金属层之上。第二型的导电性半导体层形成于第一型的导电性半导体层之上。第一型...

本发明涉及一种功率半导体元件及其制造方法，该功率半导体元件包括半导体基板、金属氧化物半导体区、N型缓冲区、P型注入区、背向沟槽区及集极金属区。半导体基板具有第一表面及第二表面。金属氧化物半导体区形成于第一表面，且定义N型高阻值区。N型缓...

本发明公开了一种太阳能电池，包括半导体基板、射极层、第一电极、第二电极及介电层。所述半导体基板具有第一表面及与第一表面相对的第二表面，且所述半导体基板具有贯穿通道贯穿所述第一表面及所述第二表面。所述射极层形成于所述半导体基板的第一表面、...

本发明关于一种太阳能电池的制造方法，至少包括下列步骤：提供基板；形成射极层在基板的第一表面，其中基板与射极层间形成一p-n结；形成抗反射层在射极层上；在基板的第二表面设置掩模，且第二表面相对第一表面设置；在该掩模上形成钝化层；移除掩模，...

本公开涉及一种于金属氧化物半导体场效应晶体管中形成遮蔽栅极的方法，包括步骤：提供具有至少一沟渠的半导体基板；于该半导体基板的该沟渠内形成底层栅极氧化物区及遮蔽栅极多晶硅区；以高温等离子体沉积、多晶硅回蚀及氧化物回蚀于该遮蔽栅极多晶硅区上...

本发明公开了一种双面太阳能电池的制造方法，至少包括步骤：提供半导体基板；以激光光束对半导体基板的第一表面及第二表面进行表面处理；于半导体基板的至少部分区域形成均质的射极层，其中半导体基板与射极层间形成pn接面；形成抗反射膜于第一表面；以...

本发明关于一种双面太阳能电池的制造方法，利用热氧化层作为保护层以及扩散的屏障而形成选择性射极，以及使用背表面局部接触结构配合背表面氧化层的钝化效果取代背面整面的表面电场层，由此可降低太阳能电池的接触电阻以及减少表面再结合速率进而提升双面...

一种双面太阳能电池的制造方法，至少包含步骤：提供半导体基板；于半导体基板的第一表面上形成射极层，并于半导体基板与射极层间形成ｐｎ结；于射极层上形成第一抗反射膜；于半导体基板的第二表面上以网版印刷技术形成掺杂源层；于半导体基板与掺杂源层间...

一种对半导体制程薄膜沉积腔体抽真空的方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体制程薄膜沉积腔体，接着，以低真空泵对半导体制程薄膜沉积腔体进行抽气，再以高真空泵进行第二阶段抽气，此时，以可调节档板挡住晶圆，再以加热器对坩埚中的吸气材料加热以产...

本发明涉及一种太阳能电池，至少包含：半导体基板、射极层、形成于射极层上的抗反射膜、与射极层连接的第一电极、形成于背光面上的第二电极以及光转换层，其中射极层形成于半导体基板的受光面上，且与半导体基板之间形成ｐｎ结；光转换层则用以接收具有第...

本发明涉及一种沟槽式功率半导体装置及其制作方法，该装置包含：基板；沟槽结构，形成于基板中；栅极氧化层，形成于沟槽结构的内壁面；栅极，形成于沟槽结构内部且突出于沟槽结构的表面；侧壁结构，形成于突出沟槽结构表面的栅极的侧边；第一导电层，至少...

一种利用离子植入技术制造只读存贮器元件的方法，其特点是在已完成栅极与源／漏极的元件上全面沉积－ＳｉＯ↓［２］层；再沉积一层硼磷硅酸盐玻璃；再用金属接触光掩模刻蚀至露出源／漏极顶部、后除去光阻；再用接触栓光掩模作离子植入，后除出光阻；再利...

本发明是关于一种具有倒Ｔ型栅极ＭＯＳ晶体管的低度掺杂漏极（ＬＤＤ）的制造方法及其结构。该倒Ｔ型栅极是由下层较长的第一硅化物（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）及上层较短的钨（ｔｕｎｇｓｔｅｎ）组成，其纵剖面呈倒Ｔ字型，藉以上两种材料的组成可改善传统的多...

一种金属－氧化物－半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺，包括对栅极氧化层区表面的清洗，用以获得良好的表面特性；生成栅极氧化层；覆盖光致抗蚀层；曝光与显影，用以形成栅极氧化层；离子注入，用以调整该金属－氧化物－半导体场效应晶体管的电参数；去...

本发明为一种利用氟离子的注入以避免器件有源区形成凹洞的半导体器件的制造方法，其步骤包含有，形成衬垫层于硅基片上，在衬垫层上沉积一多晶硅缓冲层，注入氟离子至多晶硅缓冲层，沉积一氮化硅层，限定器件有源区，形成场氧化物层，去除氮化硅层，干蚀刻...

本发明为一种利用磷的离子注入以形成补偿的沟道杂质分布的半导体器件制造方法，其步骤包含有，在硅基片上形成牺牲氧化物层，进行调整阈电压的离子注入，去除牺牲氧化物层，沉积一栅极氧化物层，沉积一栅极多晶硅层，限定及蚀刻栅极多晶硅层，从而得到栅极...

一种集成电路中介电层的制造方法，其主要步骤如下：首先，沉积一层金属导电层，并利用活性离子式电浆蚀刻技术制定所述金属导电层的图案，使金属导电层图案并与半导体元件电性接触，然后利用等离子增强式化学沉积法沉积一介电层，其为介电层底层，最后以热...

一种硅晶片的标准片（Ｇｏｌｄｅｎ Ｗａｆｅｒ）制备方法，尤指一种利用在标准片上沉积高品质障碍膜四氮化三硅膜或氮化硅膜等的方法为手段，其目的在维持标准片上的硼磷硅酸盐玻璃或磷酸盐玻璃等绝缘层的杂质浓度稳定性，利用沉积障碍膜的方法制作出的...