利用离子植入技术制造只读存贮器的方法技术

一种利用离子植入技术制造只读存贮器元件的方法，其特点是在已完成栅极与源／漏极的元件上全面沉积－ＳｉＯ↓［２］层；再沉积一层硼磷硅酸盐玻璃；再用金属接触光掩模刻蚀至露出源／漏极顶部、后除去光阻；再用接触栓光掩模作离子植入，后除出光阻；再利用编码植入，先将部分拟编码区的硼磷硅酸盐玻璃蚀刻至很薄；然后进行高能离子编码植入；最后形成金属连线。本制造方法大幅度地将原交货时间３５天减少一半以上。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种，特别是关于在制作金属连线前进行编码的只读存贮器(ROM，readonly memory)的制造方法。虽然利用场效晶体管所制作的只读存贮器早已广为周知，回顾一下特别相关于本专利技术的特征及术语仍旧是有帮助的。只读存贮器的优点在于关闭电源后数据仍然可以保存。在场效晶体管只读存贮器制作中，将数据写入只读存贮器中是制造工艺的一部分，此写入方法称作“编码”(coding)。在传统上，对于只读存贮器(Read Only Memory)的制造，一般集成电路制造商所采行的生产方式，是将硅晶片(Silicon Wafer)按一般半导体制造工艺将其制作至栅极氧化层或源/漏极界定完成(此时称该晶片为半成品)后，等待客户下订单、提供所需的编码内容，制造商再将该所需的编码数据转换并制作成掩模工具，接着利用离子植入(Ion Implantion)的方式，将存贮码写入只读存贮器的存贮单元(Memory cell)。由于市场的瞬息万变，客户要求新产品上市的速度愈来愈快，所以如何缩短生产周期，加快交货时间(TAT)，是集成电路制造商及客户保持竞争力的一项重要因素。依上面所述，传统上制造只读本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ｎ通道只读存贮器元件的制造方法，其制程包含以下的步骤： （ａ）在基板上制作一Ｐ型井区； （ｂ）形成一栅极氧化层； （ｃ）在半导体晶片上界定一栅极； （ｄ）制作源／漏极； （ｅ）全面性覆盖一介电层在整个半导体晶片上； （ｆ）制接触窗（ｃｏｎｔａｃｔ ｌａｙｅｒ）； （ｇ）在欲编码区域部分蚀刻介电层，得使该栅极顶端介电层变薄； （ｈ）以磷离子物种穿透栅极至通道区作只读存贮器编码； （ｉ）形成金属连线。

【技术特征摘要】
1.一种n通道只读存贮器元件的制造方法，其制程包含以下的步骤(a)在基板上制作一P型井区；(b)形成一栅极氧化层；(c)在半导体晶片上界定一栅极；(d)制作源/漏极；(e)全面性覆盖一介电层在整个半导体晶片上；(f)制作接触窗(contact layer)；(g)在欲编码区域部分蚀刻介电层，得使该栅极顶端介电层变薄；(h)以磷离子物种穿透栅极至通道区作只读存贮器编码；(i)形成金属连线。2.如权利要求1所述的只读存贮器元件的制造方法，其中在步骤(b)中的栅极是一种多晶硅栅极，栅极的厚度在1000埃至3500埃之间，较佳为2500埃。3.如权利要求1所述的只读存贮器元件的制造方法，其中在步骤(b)中的栅极是由金属硅化物(silicide)或硅化物/多晶硅(poly-cide)所共同组成的栅极。4.如权利要求3所述的只读存贮器元件的制造方法，其中用作栅极的金属硅化物，可以是钨化硅、钽化硅、钛化硅、钴化硅、钼化硅等金属硅化物。5.如权利要求1所述的只读存贮器元件的制造方法，其中步骤(h)用作只读存贮器码植入的离子物种也可以是砷离子。6.如权利要求1、5所述的只读存贮器元件的制造方法，其中只读存贮器码植入离子所需的能量至少为150Kve以上。7.如权利要求1、5所述的只读存贮器元件的制造方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈民良，徐英杰，高昭男，
申请(专利权)人：台湾茂矽电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]