难熔金属覆盖的低阻金属导体线与通路制造技术

利用难熔金属覆盖低电阻率金属导线或通路是为实际采用化学－机械抛光技术创造条件，因为难熔金属的坚硬、低磨损性能，在化学－机械抛光过程不会受擦伤、浸蚀或弄脏。采用物理汽相淀积（例如，蒸发或准直溅射）低电阻率金属或合金之后接着化学汽相淀积（ＣＶＤ）难熔金属与随后的平整化两者的结合可制出优良的导线和通路。准直溅射可在介质中的开口内产生难熔金属衬垫，适合于作铜基金属化以及ＣＶＤ钨的扩散阻挡层。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及电的导体线与通路的制法，以连接衬底，诸如半导体上的电路与相应的封装件，尤其还涉及采用物理汽相淀积(PVD)法淀积低阻金属和化学汽相淀积(CVD)法淀积难熔金属的组合来填充衬底上的缝或孔的一种低成本的方法。本专利技术特别适用于亚微米电路的制作。低阻金属，诸如铝和铜以及它们的二元或三元的合金已广泛用于半导体制作的细线互连。细线互连金属的曲型例子，包括AlxCuy，其中x与y之和等于1，且x与y都大于或等于0而又小于或等于1，三元合金，如Al-Pd-Cu、Al-Pd-Nb及Al-Cu-Si和其它以低阻金属为基的合金。如今要强调的是随超大规模集成(VLSI)电路制作的线条宽度的尺寸按比例缩小，已经带来包括不适当的绝缘、电迁移及平面化方向的可靠性问题。IBM技术公开公报Ahn等人((Vol、33，No.5，Oct，1990，pp.217-218)披露了用WF6和SiH4的含氢混合物选择性淀积制造包覆以钨的铜导体与通孔。密封了的互连线，像Ahn等人做的那样，具有很高的抗电迁移能力，并且选用晶粒尺寸小的钨膜，以减小反射率，因而增强光刻设备聚焦的能力与光刻胶的解象能力。但是，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，包括： 一衬底； 至少一层位于所述衬底上的介质层；以及 位于所述至少一层介质层中的一个开口中的金属化部分；其特征在于： 所述金属化部分从与朝向所述衬底的所述至少一层介质层的一个表面相齐平的表面伸出，所述金属化部分由位于所述开口内侧表面的难熔金属或合金衬垫和位于所述用难熔金属或合金盖层覆盖的衬垫上的低电阻率金属或合金组成，其中，所述衬垫的难熔金属或合金不同于所述盖层的难熔金属或合金。

【技术特征摘要】
US 1992-2-26 8419671.一种器件，包括一衬底；至少一层位于所述衬底上的介质层；以及位于所述至少一层介质层中的一个开口中的金属化部分；其特征在于所述金属化部分从与朝向所述衬底的所述至少一层介质层的一个表面相齐平的表面伸出，所述金属化部分由位于所述开口内侧表面的难熔金属或合金衬垫和位于所述用难熔金属或合金盖层覆盖的衬垫上的低电阻率金属或合金组成，其中，所述衬垫的难熔金属或合金不同于所述盖层的难熔金属或合金。2.一种按照权利要求1的器件，其特征在于所述盖层与所述衬垫的所述难熔金属选自由钛、钨、钽、铬及其合金、导电氧化物、氮化物以及硅化物组成的一组材料。3.一种按照权利要求1的器件，其特征在于所述低电阻率金属或合金为二元或三元的铝或铜的合金。4.一种按照权利要求3的器件，其特征在于所述低电阻率金属或合金是一种通式为AlxCuy的铝与铜的合金，其中x与y之和等于1，且x与y两者都大于或等于0。5.一种按照权利要求1的器件，其特征在于导电的粘结层位于至少一部分所述低电阻率金属或合金与所述难熔金属合金之间。6.一种按照权利要求5的器件，其特征在于所述粘结层选自包括钛、钨、铬、钽以及其合金的一组材料。7.一种按照权利要求6的器件，其特征在于所述粘结层为钛—钛氮合金或化合物。8.一种按照权利要求1的器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷吉夫V乔西，杰罗姆J库欧莫，霍玛兹雅M达拉尔，路易斯L苏，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]