【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
用于在由半导体材料制成的衬底的具有保护层的表面上构成金属的导体结构的方法，其通过借助于选择性移除保护层、电镀沉积金属的种子层并且接着电镀沉积至少另一金属层来提供半导体材料的不连续的、纹理化的区域，其特征在于，在沉积所述种子层之前或者在沉积所述种子层之后对所述衬底的所述表面施加疏水的物质。
【技术特征摘要】
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