本发明涉及一种用于制造针头的方法以及采用该方法制成的针头。本发明还涉及适用于采用该方法制造针头的设备。该方法涉及由空心的管节段(1)制造具有倾斜的插入端部的针头，该插入端部具有前部的插入部分和后部的开口部分，其中前部的插入部分具有倾斜的...

本实用新型涉及液体辅助的平坦基板的处理领域。本实用新型特别涉及在单面湿化学处理中改善上述基板的背面保护。一种对平坦基板进行单面湿化学处理的装置，所述平坦基板（2）的单面湿化学处理装置具有：收纳处理液（F）的处理槽（7）；沿输送平面（8）...

本实用新型涉及用于湿法化学工艺的设备，其用于借助处理液在形成从处理液中逸出的气态物质的情况下对衬底进行湿法化学处理。更准确地，本实用新型涉及可替换的处理池。用于借助处理液在形成从处理液中流出的气态物质的情况下对衬底进行湿法化学处理的设备...

本实用新型涉及一种用于衬底强度测试的装置，其设置用于对平坦的易破碎的衬底进行强度测试，其包括用于衬底的安置面和加载设备，其中所述加载设备包括用于对衬底进行无接触加载的机构。

本实用新型涉及传送平坦物体的领域。本实用新型尤其涉及在湿法化学的连续式设备中传送例如为硅晶圆的平坦物体的领域。根据本实用新型的用于多列传送平坦物体的装置用于在多个彼此平行设置的列中同时地传送衬底，其包括用于供给衬底的多列的供给区域、用于...

本实用新型涉及定量加料装置领域。尤其地，本实用新型涉及用于在对工件进行湿法化学处理的范围中使用的液态组分的定量加料装置领域，以及一种带有这种定量加料装置的处理设备。用于提供在对工件进行湿法化学处理的范围中使用的液态组分的根据本实用新型的...

本实用新型涉及一种用于干燥衬底的设备，其具有用于降低和提升支承体（6）的运动装置（3，4），使得支撑在支承体（6）上的衬底能够浸入到处理液体的液位之下并且能够沿基本上垂直方向（V）从处理液体中提出，使得处理液体基本上完全从衬底的表面流走...

本实用新型涉及处理设备领域。尤其地，本实用新型涉及在使用剂量装置的情况下借助于液态组分对工件进行湿法化学处理的处理设备的领域。本实用新型公开一种处理设备，其具有：能够经由介质供应管道供应的处理池，以用于借助于处理介质对工件进行湿法化学处...

本实用新型涉及夹具和携动件。本实用新型涉及用于平的衬底的运输装置的领域。本实用新型尤其涉及夹具和其在轴上的固定。根据本实用新型的用于能运输穿过具有处理液的处理池的平衬底的夹具（1）具有：能插装到能旋转的轴（2）上的套筒（3），套筒在其壳...

本实用新型涉及用于湿法化学处理的设备，其用于借助处理液对衬底进行湿法化学处理。更准确地，本实用新型涉及可替换的处理池。用于借助处理液（F）对衬底进行湿法化学处理的设备包括具有外壁（2）的可替换的处理池（1）、设置在处理池（1）之下的用于...

在用于在连续的过程中处理平衬底的设备中，用液态处理介质填充槽容器直至一定液位。借助于运输装置，衬底能够通过引导元件在水平的运输平面中沿运输方向引导地运输通过处理介质，使得将衬底的至少一个处理侧浸入到处理介质中。处理介质能够借助于循环装置...

本实用新型涉及一种用于清洁硅衬底的设备。特别地，本实用新型涉及一种用于清洁由清洁液体包围并运输通过处理池的硅衬底的设备。根据本实用新型，用于单侧清洁硅衬底(1)的设备包括容纳清洁液体(F)的处理池(2)、用于通过处理池(2)沿着清洁平面...

本发明涉及一种在以液体为基础的单侧处理平坦物体期间允许精确维持衬底和液体表面之间期望的相对垂直距离的方法以及一种适合于此的装置。该方法包括步骤：借助于调节设备比较与当前的垂直距离相关的液位实际值和与期望的垂直距离相关的液位理想值，在偏离...

本发明涉及一种用于对具有衬底或层表面形式的、例如太阳能电池的半导体材料进行电镀金属的方法。本发明特别涉及优化用于提供选择性的发射极结构的传统的方法，由此能够改进所产生的产品的技术特性。所述方法设计用于通过借助于选择性移除保护层、电镀沉积...

本发明涉及一种改善在衬底的化学连续式处理过程中去除含有反应气体的空气的设备及方法。该设备通过传送气体从用于扁平物体的单侧湿法化学处理的连续式设备中去除气态反应产物，其包括入口、用于收容处理液的处理池、具有传送面的用于沿传送方向水平传送扁...

本发明涉及通过至少一个处理模块对扁平基板进行流体列式处理的设备和方法。特别地，本发明涉及在基板的柔和且可控的输送期间的这种处理，其中该处理还可以仅涉及基板的输送。根据本发明，提供了处理模块1，该处理模块包括处理室2和至少一个给送装置9，...

本发明涉及硅衬底的湿法化学处理领域。本发明尤其涉及一种用于测定水性处理液中的硝酸浓度的方法，所述水性处理液用于处理诸如由硅制成的衬底。该方法是基于使用消除剂的UV光谱法/光度法进行的硝酸根离子的测定，所述消除剂有效除去由其他物质引起的干...

本发明涉及一种仅单面地以湿化学法去除存在于如特别是硅片的扁平的衬底上的钝化氧化层和/或电介质氧化层的方法，所述方法通过单面蚀刻被水平地输送通过用蚀刻液填充的容器的衬底的底面进行。在使用这种方法的情况下，不需以覆层或机械辅助机构的方式来保...

本发明涉及用于通过锯切从块产生的平整衬底的组合的保持与清洗的装置和用于其的方法。根据本发明的装置用于保持将被锯切的衬底块(13A、13B)和用于冲洗通过锯切衬底块(13A、13B)形成的中间空间。它包括与装置纵轴(L)平行布置和彼此叠置...