具有过渡层的碲化镉太阳电池制造技术

具有过渡层的碲化镉太阳电池，属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计。在碲化镉（Ｐ）与背接触层［Ｐ－型掺杂碲化锌（Ｚ）或导电背电极（Ｍ）］之间加入不掺杂或低掺杂或两者迭加的碲化锌过渡层（Ｂ）。其掺杂浓度可以是均匀的，也可以是随过渡层厚度变化的，厚度在２０Ａ以上。该过渡层能改进原相邻两层之间的晶格匹配，阻止背接触层中的掺杂剂原子或金属原子向碲化镉扩散，堵塞碲化镉的漏电通道。从而提高了这种电池的光电转换效率和稳定性。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计。碲化镉(CdTe)太阳电池是一种化合物半导体薄膜太阳电池。其基本结构为透明导电膜(T)/n-型硫化镉(C)/p-型碲化镉(P)/导电背电极(M)，如附图说明图1所示。导电背电极常用掺铜的石墨电极。然而，由于p-型半导体与导电电极之间难于形成良好的欧姆接触，从而抑制了这类电池的光电转换效率。这已成为发展这类电池需解决的关健问题。美国埃米泰克(Ametek)公司1990年申请的4977.097号专利，以及美国可再生能源国家实验室(NREL)、科罗拉多矿业学院(CSM)均提出了一种在P-型碲化镉层(P)与导电背电极之间加入一层P-型碲化锌薄膜(2)作为背接触层的太阳电池结构，如图2所示。这层碲化锌膜的掺杂剂为铜或氮，正常的掺杂原子浓度在3％-8％范围内，厚度为250-1200。这种结构的太阳电池虽然性能大为改善填充因子提高10％左右，开路电压提高3％左右，但是该结构还存在明显不足1.碲化锌中掺杂剂的加入，使碲化锌的晶格与相邻的碲化镉的失配加剧，在两者之间形成较高的界面态，从而降低了太阳电池的性能。2.碲化锌中的掺杂剂原子，或石墨电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碲化镉太阳电池，其结构为透明导电膜（Ｔ）／ｎ－型碱化镉（Ｃ）／ｐ－型碲化镉（Ｐ）／ｐ－型碲化锌（Ｚ）背接触层／导电背电极（Ｍ），其特征是在碲化镉（Ｐ）与背接触层之间加入碲化锌过渡层（Ｂ），所说的背接触层为Ｐ－型碲化锌（Ｚ）或导电背电极（Ｍ）。

【技术特征摘要】
1.一种碲化镉太阳电池，其结构为透明导电膜(T)/n-型硫化镉(C)/p-型碲化镉(P)/p-型碲化锌(Z)背接触层/导电背电极(M)，其特征是在碲化镉(P)与背接触层之间加入碲化锌过渡层(B)，所说的背接触层为P-型碲化锌(Z)或导电背电极(M)。2.如权利要求1的太阳电...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯良桓，蔡亚平，
申请(专利权)人：四川联合大学，
类型：发明
国别省市：51[中国|四川]