一种碲化镉量子点/二氧化钛P25复合材料制造技术

本发明专利技术公开了一种碲化镉量子点/二氧化钛P25复合材料，采用以下步骤制备而成：将五水氯化镉溶于去离子水中，然后逐滴加入巯基乙酸，并用NaOH溶液将pH值调节至碱性，再加入碲氢化钠溶液，加热回流1～24小时，制得量子点粒径为1～20nm的碲化镉量子点溶液；按照碲化镉量子点:二氧化钛P25＝0.002～0.1:1的质量比，将二氧化钛P25与所述碲化镉量子点溶液混合，并在干燥后以400℃煅烧1.5小时，从而制得碲化镉量子点/二氧化钛P25复合材料。本发明专利技术不仅制备方法简单、容易操作，而且能够大幅提高二氧化钛在可见光照射下的光催化活性，从而提高了二氧化钛对太阳光的利用率，拓展了二氧化钛的应用范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米二氧化钛复合材料领域，尤其涉及一种碲化镉量子点/二氧化钛P25复合材料。
技术介绍
二氧化钛P25是采用AEROSIL工艺生产的一种高度分散的纳米级二氧化钛，它是一种没有任何色素特征的纳米级白色粉末，属于混晶型，锐钛矿和金红石的重量比大约为71/29，主要生产厂商是赢创工业集团(原名赢创德固赛，EVONIK-DEGUSSA)。单纯的二氧化钛禁带宽度较大，只能利用波长小于400nm的紫外光，因此它对地球表面太阳光的利用率只能达到5％，这极大地限制了二氧化钛的实际应用。为了使二氧化钛能够更有效地利用太阳光，人们提出了向二氧化钛中掺杂窄禁带半导体的方法，从而窄禁带半导体导带上的光生电子可以迁移到二氧化钛上，使二氧化钛在可见光照射下也能够具有光催化活性，因此这增强了二氧化钛的光催化活性，拓展了二氧化钛对太阳光的响应范围。在现有技术中，向二氧化钛中掺杂的窄禁带半导体主要是CdS和CdSe，但这些窄禁带半导体与二氧化钛的复合材料能够向二氧化钛迁移的光生电子较少，量子效率较低，对二氧化钛在可见光照射下的光催化活性提升幅度较小，而且制备方法复杂。
技术实现思路
针对现有技术中的上述不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碲化镉量子点/二氧化钛P25复合材料，其特征在于，采用以下步骤制备而成：步骤A、在氮气保护环境下，按照每0.35g五水氯化镉使用300mL去离子水的比例，将五水氯化镉溶于去离子水中，然后按照五水氯化镉:巯基乙酸＝1:0.2～5的摩尔比逐滴加入巯基乙酸，并用NaOH溶液将该混合后液体的pH值调节至碱性，再按照五水氯化镉:碲氢化钠＝1:0.1～1的摩尔比加入碲氢化钠溶液，并加热回流1～24小时，从而制得了量子点粒径为1～20nm的碲化镉量子点溶液；步骤B、按照碲化镉量子点:二氧化钛P25＝0.002～0.1:1的质量比，将二氧化钛P25与步骤A中制得的量子点粒径为1～20nm的碲化镉量子点溶液...

【技术特征摘要】
1.一种碲化镉量子点/二氧化钛P25复合材料，其特征在于，采用以下步骤制备而成：步骤A、在氮气保护环境下，按照每0.35g五水氯化镉使用300mL去离子水的比例，将五水氯化镉溶于去离子水中，然后按照五水氯化镉:巯基乙酸＝1:0.2～5的摩尔比逐滴加入巯基乙酸，并用NaOH溶液将该混合后液体的pH值调节至碱性，再按照五水氯化镉:碲氢化钠＝1:0.1～1的摩尔比加入碲氢化钠溶液，并加热回流1～24小时，从而制得了量子点粒径为1～20nm的碲化镉量子点溶液；步骤B、按照碲化镉量子点:二氧化钛P2...

【专利技术属性】
技术研发人员：余雪娇，张仁哲，
申请(专利权)人：富思特新材料科技发展股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11