【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在绝缘基板或在形成于基板上之绝缘膜上形成TFT(薄膜晶体管)之有源区域的一种，尤其涉及对于有源矩阵型液晶显示器件等有用的一种。关于在玻璃等绝缘基板上设有TFT之半导体器件，公知者有将此等TFT用于有源矩阵型液晶显示装置像素之驱动及图像传感器等。通常使用薄膜状之硅半导体作为于此等器件中之TFT之有源区域。此薄膜状之硅半导体，可大别为两种，亦即由非晶态硅(a-Si)半导体构成者及由晶态硅半导体构成者。前者之非晶态硅半导体，其制造温度低，采气性生长法可较易于制造，适于大量生产，故最广被采用。但是，非晶态硅半导体，由于其导电性等物理性质较晶态硅半导体为差，故今后为了得到更高的特性，吾人乃强烈冀求能确立由晶态硅半导体构成之TFT之制造方法。又，关于后者之晶态硅半导体，公知者有多晶硅、微晶硅、含结晶成分之非晶硅、处于结晶态与非结晶态之中间状态的半非晶硅等。关于得到上述具结晶性之薄膜状硅半导体所使用之方法，公知者有以下三种。(1)在淀积膜时，直接形成晶态硅半导体膜。(2)先淀积非晶硅半导体膜，再藉由激光束之能量等使其产生结晶性。(3)先淀积非晶硅半导体膜，再...
【技术保护点】
一种半导体器件，该器件系于具有绝缘表面之基板上形成由晶态硅膜所构成之有源区域，其特征在于， 该有源区域系将促进结晶化之至少一种催化剂元素导入第一非晶态硅膜中；藉由加热方式使第一非晶态硅膜结晶生长出针状结晶或柱状结晶；并以针状结晶或柱状结晶为晶种，令第二非晶态硅膜结晶生长。
【技术特征摘要】
JP 1994-4-15 77699/941.一种半导体器件，该器件系于具有绝缘表面之基板上形成由晶态硅膜所构成之有源区域，其特征在于，该有源区域系将促进结晶化之至少一种催化剂元素导入第一非晶态硅膜中；藉由加热方式使第一非晶态硅膜结晶生长出针状结晶或柱状结晶；并以针状结晶或柱状结晶为晶种，令第二非晶态硅膜结晶生长。2.如权利要求1所述之半导体器件，其特征在于，作为上述晶种之针状结晶或柱状结晶之膜厚为100纳米或100纳米以下。3.如权利要求1所述之半导体器件，其中，该第二非晶态硅膜可藉由激光束照射或强光之照射而结晶生长。4.如权利要求1所述之半导体器件，其特征在于，该催化剂元素系自镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铟(In)、锡(Sn)、铝(Al)、磷(P)、砷(As)及锑(Sb)中选择一种或多种元素。5.一种半导体器件之制造方法，该器件系于具有绝缘表面之基板上形成由晶态硅膜所构成之有源区域，其特征在于，该制造方法包括下述步骤在基板上形成第一非晶态硅膜；将促进该第一非晶态硅膜结晶化之至少一种催化剂元素选择性地导入至该第一非晶态硅膜之一部分；对第一非晶态硅膜作第一次退火使该第一非晶态硅膜结晶化，并在该催化剂元素选择性地被导入区域之周围区域，沿着与基板表面大致平行之方向使结晶生长形成结晶横向生长部分；在第一非晶态硅膜之结晶横向生长部分上形成绝缘薄膜；将第一非晶态硅膜之绝缘薄膜及结晶横向生长部分之一部分去除，俾令其沿着结晶生长方向形成线状边界；在基板上形成第二非晶态硅膜；及对该第二非晶态硅膜施以第二次退火，使该膜以线状边界作结晶生长之晶种，使之结晶化。6.一种半导体器件之制造方法，该器件系于具有绝缘表面之基板上形成由晶态硅膜所构成之有源区域，其特征在于，该制造方法包括下述步骤在基板上形成第一非晶态硅膜；将促进该第一非晶态硅膜结晶化之至少一种催化剂元素，选择性地导入至该第一非晶态硅膜之一部分；对第一非晶态硅膜作第一次退火，使该第一非晶态硅膜结晶化，并在该催化剂元素选择性地被导入区域之周围区域，沿着与基板表面大致平行之方向使结晶生长，形成结晶横向生长部分；将第一非晶态硅膜之横向结晶生长部分作图形形成，得出沿结晶生长方向延伸之岛状硅区域；在该岛状硅区域上之上形成第二非晶态硅膜；及对该第二非晶态膜施以第二次退火，以岛状硅区域为结晶生长之晶种，使该膜结晶化。7.一种半导体器件之制造方法，该器件系于具有绝缘表面之基板上形成由晶态硅膜所构成之有源区域，其特征在于，该制造方法包括下述步骤在基板上形成第一非晶态硅膜；将促进该第一非晶态硅膜结晶化之至少一种催化剂元素，选择性地导入至该第一非晶态硅膜之一部分；对第一非晶态硅膜作第一次退火，使该第一非晶态硅膜结晶化，并在该催化剂元素选择性地被导入之区域之周围区域，沿着与基板表面大致平行之方向使结晶生长，形成结晶横向生长部分；在第一非晶态硅膜之结晶横向生长部分上形成绝缘薄膜；在绝缘薄膜内形成开口，暴露第一非晶态硅膜之...
【专利技术属性】
技术研发人员：牧田直树，山元良高，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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