【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种太阳能电池和它的制造方法，特别是涉及一种用于包含多个串联太阳能电池的电池组中的太阳能电池和它的制造方法的改进。附图说明图19和20表示了通常太阳能电池的光接受面(也称作“正面”)和背面。一个太阳能电池包含一块半导体衬底1。衬底1的正面覆盖一层抗反射膜3。在抗反射膜3上形成梳状正面银电极。正面银电极上覆盖一焊接层8a。太阳能电池10背面大部分由铝电极6覆盖。在铝电板6区域形成多个局部背面银电极。背面银电极上覆盖焊接层5a。图21和22说明了图19和20所示的太阳能电池的制造方法。为了简单起见，说明图中各部分未按比例画出。需要指出的是图21(A)到(D)和图22(A)到(D)表示了一个制造过程中相继的几个步骤。在图21(A)中，半导体衬底1按照例如直径100毫米，厚度0.4毫米那样制备。P型半导体衬底1的杂质浓度通常为3×1015～4×1016厘米-3。通常采用主表面为(100)取向的硅衬底1。最好在硅衬底1的光接受面上形成如圆圈中所示放大部分的金字塔形凸状和凹状(称作纹理结构)以减少光反射。将硅衬底1放入加有百分之几的氢氧化钠的异丙醇溶液内在...
【技术保护点】
一种太阳能电池，其特征在于包括： Ｐ型半导体衬底（１），具有一个第一主表面，一个第二主表面及它们之间的侧面； 形成于所述第一主表面上的一层第一ｎ型层（２ａ）； 形成于所述第二主表面上、杂质浓度高于所述衬底（１）的一层Ｐ型层（７）； 至少形成于所述侧面上的一层第二ｎ型层（２ｂ，２ｃ，２ｄ），该层将所述第一ｎ型层（２ａ）和所述Ｐ型层（７）联接起来，第二ｎ型层（２ｂ，２ｃ，２ｄ）至少在与所述的Ｐ型层（７）接壤的区域附近的杂质浓度低于所述的第一ｎ型层（２ａ）。
【技术特征摘要】
JP 1994-4-28 091443/941.一种太阳能电池，其特征在于包括P型半导体衬底(1)，具有一个第一主表面，一个第二主表面及它们之间的侧面；形成于所述第一主表面上的一层第一n型层(2a)；形成于所述第二主表面上、杂质浓度高于所述衬底(1)的一层P型层(7)；至少形成于所述侧面上的一层第二n型层(2b，2c，2d)，该层将所述第一n型层(2a)和所述P型层(7)联接起来，第二n型层(2b，2c，2d)至少在与所述的P型层(7)接壤的区域附近的杂质浓度低于所述的第一n型层(2a)。2.按照权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述的第二n型层(2b，2c，2d)至少在与所述的P型层(7)接壤的区域附近的表面电阻在70-300Ω/□范围内。3.按照权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述的第二n型层(2b，2c，2d)不仅分布在侧面上而且也扩展到所述第二主表面的四周。4.按照权利要求1至3中任何一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述的第二n型层(2b，2c，2d)和所述的P型层(7)在所述的第二主表面上相接，相接的面采用波纹形状以增加相接界面。5.一种制造太阳能电池的方法，其特征在于，包括以下步骤制备一片P型半导体衬底(1)，它包...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。