半导体器件的制造方法技术

半导体器件的制造方法，非晶硅膜中引入镍元素后，进行第１热处理使其结晶。获得结晶硅膜后用与第１热处理相同的方法进行第２热处理，所用处理气氛中加ＨＣｌ等气体，除去结晶硅膜中所含Ｎｉ元素，用该方法能获得结晶度高和其中含金属元素浓度低的结晶硅膜。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及以薄膜晶体管为代表的，特别涉及用在玻璃衬底或石英衬底上形成的结晶硅薄膜制造半导体器件的方法。迄今，已有用硅膜的薄膜晶体管。用玻璃或石英衬底上形成的硅膜(厚度为几百埃至几千埃)构成薄膜晶体管。为什么用玻璃或石英作衬底是因为薄膜晶体管用于有源阵列液晶显示单元。现有条件下，用玻璃衬底时，通用方法是用非晶硅膜构成薄膜晶体管。用石英衬底时，用热处理获得的结晶硅膜构成薄膜晶体管已是实用技术。与用非晶硅膜的薄膜晶体管相比，用结晶硅膜的薄膜晶体管能用两个数量级以上的高速度工作。因此，有源阵列液晶显示单元的外贴外围电路通常用玻璃或石英上构成的薄膜晶体管构成的集成电路构成。上述结构对减小整个器件的尺寸和简化制造工艺极其有利。因此能降低成本。用热处理获得结晶硅膜的技术已由日本特许公开平6-232069公开。用该方法，金属元素，如镍，能促使非晶硅膜转化成结晶硅，因此，能在比常规方法低的温度下热处理而获得结晶硅膜。用该方法，可用价格便宜的玻璃作为衬底。所获得的结晶硅膜能在广泛的领域内作为晶体使用。但是薄膜中含的金属元素及其用量控制困难，因而其重复性和稳定性(制成的器件的电性能稳定性)差。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体器件的制造方法，包括以下步骤： 给非晶硅膜故意引入促进结晶的金属元素，经第１热处理使所述非晶硅膜结晶； 在含卤族元素的气氛中进行第２热处理，以故意除去所述金属元素； 其中用相同方式进行所述第１和第２热处理。

【技术特征摘要】
JP 1995-12-15 347820/951.半导体器件的制造方法，包括以下步骤给非晶硅膜故意引入促进结晶的金属元素，经第1热处理使所述非晶硅膜结晶；在含卤族元素的气氛中进行第2热处理，以故意除去所述金属元素；其中用相同方式进行所述第1和第2热处理。2.按权利要求1的方法，其特征是，促进硅结晶的金属元素是选自Fe、Co，Ni、Ru，Rh，Pd，Os，Ir，Pt，Cu和Au中的一种或多种金属。3.按照权利要求1的方法，其特征是，所述的其中含卤族元素的气氛是用选自HCl、HF，HBr，Cl2，F2和Br2中的一种或多种气体加到选自Ar，N2，He和Ne中的一种或多种气体中而构成的。4.按照权利要求1的方法，其特征是，所述的其中含卤族元素的气氛是用氧和选自HCl，HF，HBr，Cl2，F2和Br2的一种或多种气体加到包含选自Ar，N2，He和Ne的一种或多种气体的气氛中组成的。5.按权利要求1的方法，其特征是，所述第2热处理是在450℃至1050℃进行的。6.按照权利要求1的方法，还包括所述硅膜在所述第2热处理后用激光辐射，以形成单晶或基本无晶界的基本上是单晶的硅区的步骤，所含金属元素的浓度是3×1017cm-3以...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，寺本聪，小山润，宫永昭治，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]