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半导体器件的制造方法，非晶硅膜中引入镍元素后，进行第１热处理使其结晶。获得结晶硅膜后用与第１热处理相同的方法进行第２热处理，所用处理气氛中加ＨＣｌ等气体，除去结晶硅膜中所含Ｎｉ元素，用该方法能获得结晶度高和其中含金属元素浓度低的结晶硅膜。...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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