UV基片加热和光化学的设备制造技术

本发明专利技术的装置提供ＵＶ源既加热衬底和促进衬底处理所必需的光化学的两种用途。本发明专利技术还提供一种处理衬底的方法，通过第一功率电平的ＵＶ辐射使衬底加热到环境温度以上的温度，并在出现第二功率电平的ＵＶ辐射时，通过把衬底暴露在光化学（ＵＶ）反应化合物或能够与衬底表面上复合物起作用的反应化合物中而形成光化学反应复合物。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
1.专利
本专利技术涉及一种用紫外线(UV)源对衬底(包括半导体衬底)作UV加热和光化学处理的装置以及一种利用所述装置对所述衬底进行处理的方法。发现可特别应用于集成电路制造中在约400℃或更低的温度下的蚀刻、清洗、或从半导体衬底的表面剥离大量薄膜和污垢物。2.现有技术的描述在包括清洗、蚀刻或其它处理的半导体衬底处理中，使用紫外线(UV)活性气体是众所周知的。Hiatt等人的美国专利5,580,421描述一种用UV可激活调节气体来处理衬底的装置，在此引用作为参考。在1996年3月25日提出的未定申请第08/621,538号中揭示一种使用氟化气体从衬底上除去不需要的材料的方法，在此引用作为参考。在1997年3月17日提出的未定申请第08/818,890号中揭示一种使用UV/卤素去除金属的方法，在此引用作为参考。因为化学反应速率一般与温度有关，所以处理的效率有赖于进行处理时的温度。可以要求在较佳的控制状态下将衬底预热到环境温度之上的较佳处理温度以增强处理性能。还可以使用加热对吸附在衬底表面上的挥发性物质进行热解除吸附。在化学处理的准备中或热解除挥发性物质的吸附的准备中有许多对衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在具有前侧和后侧的衬底上执行ＵＶ加热和光处理步骤的装置，所述装置包括：用于容纳和保持衬底的反应箱，该反应箱包括前侧和后侧；被配置成直接辐射在衬底处的ＵＶ辐射源，这里所述辐射源将波长从０．１到１．０微米的至少为０．３瓦／厘米↑ ［２］的总辐射功率释放到所述衬底的至少一部分上；以及控制系统，用于控制ＵＶ辐射源以提供至少两种不同时间平均的能量电平的ＵＶ输出，一个加热电平对诱发衬底的加热有效以及一个光化学电平对诱发所述光处理有效。

【技术特征摘要】
1.一种用于在具有前侧和后侧的衬底上执行UV加热和光处理步骤的装置，所述装置包括用于容纳和保持衬底的反应箱，该反应箱包括前侧和后侧；被配置成直接辐射在衬底处的UV辐射源，这里所述辐射源将波长从0.1到1.0微米的至少为0.3瓦/厘米2的总辐射功率释放到所述衬底的至少一部分上；以及控制系统，用于控制UV辐射源以提供至少两种不同时间平均的能量电平的UV输出，一个加热电平对诱发衬底的加热有效以及一个光化学电平对诱发所述光处理有效。2.如权利要求1所述的装置，进一步包括把化合物释放到反应箱的化合物释放系统。3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述UV辐射源包括安装在所述反应箱的前侧上的至少一个前侧UV灯罩或安装在所述反应箱的后侧上的至少一个后侧UV灯罩。4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，UV辐射源包括安装在所述反应箱的前侧上的至少一个前侧UV灯罩和安装在所述反应箱的后侧上的至少一个后侧UV灯罩。5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述前侧和后侧UV灯罩安装在所述箱的外面，并且所述箱进一步包括UV透射窗，所述UV辐射通过所述透射窗透射到所述箱中。6.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述至少一个前侧UV灯罩包括至少一个线性氙气闪光灯泡，所述至少一个后侧UV灯罩包括至少一个线性氙气闪光灯泡。7.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述至少一个前侧和后侧灯罩各包括至少一个圆柱抛物面或椭圆面反射器。8.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述至少一个后侧UV灯罩对于所述至少一个前侧UV灯罩转动90度。9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述UV辐射源的输出的特征通过脉冲串来表示，所述脉冲串的特征通过UV辐射的每秒脉冲个数和每个脉冲的...

【专利技术属性】
技术研发人员：RT费菲尔德，B施瓦布，
申请(专利权)人：FSI国际股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]