半导体制造工艺和半导体器件制造工艺制造技术

一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺，其工序是：在衬底上形成绝缘物涂层；将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中；在上述暴露工序之后，在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜；并且在４００到６５０℃或更高温度中，但不得高于衬底玻璃转换温度，热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的，选择性地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择性地施加一种物质，该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造薄膜晶体管的工艺。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造用于薄膜器件如薄膜绝缘栅场效应晶体管(下文简称“薄膜晶体管”或“TFT”)的晶状半导体工艺；本专利技术还涉及使用上述晶状半导体制造半导体器件的工艺。用于薄膜器件如迄今为止公知的TFT的晶状硅半导体薄膜，利用使非晶硅膜晶体化制造。非晶硅膜通过等离子体CVD(化学蒸镀)或热CVD来形成，使用一种装置如电炉；温度保持不低于600℃，延续12小时或更长。只有在使非晶膜经受持续较长的时间的热处理，才可能得到具有充分高质量(如极好的场效应和高可靠性)的晶状硅半导体的薄膜。然而，为获得晶状硅半导体薄膜，已有技术尚需解决许多问题。问题之一是导致工艺成本增加的低生产率。例如，如果结晶的工序要求24小时的持续时间，那么在同时必须加工720个衬底，理想状态下，每个衬底耗费工时2分钟。可是通常管状炉衬底同时热处理最大数量可限制在50，在实际上处理仅仅使用一个装置(反应管)。发现单个衬底完成处理要花费30分钟。换言之，在2分钟内完成每个衬底的反应至少需要15个反应管。这意味着增加花费成本，因此，由于成本过高，增加了产品价格。热处理温度被认为是另一个问题。通常，用石英玻璃衬底制造TFT，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体的工艺，包括下列步骤： 用旋转涂敷法在整个衬底上形成一层含选自由镍、铁、钴和铂组成的一组中的一种元素的液层； 在整个所述衬底上形成含硅的半导体膜；和 通过加热所述半导体膜往所述半导体膜中加入所述元素，使所述半导体膜晶化。

【技术特征摘要】
JP 1993-2-3 39499/931.一种制造半导体的工艺，包括下列步骤用旋转涂敷法在整个衬底上形成一层含选自由镍、铁、钴和铂组成的一组中的一种元素的液层；在整个所述衬底上形成含硅的半导体膜；和通过加热所述半导体膜往所述半导体膜中加入所述元素，使所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高山彻，张宏勇，山崎舜平，竹村保彦，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]