【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及由玻璃或类似材料作成的绝缘衬底上形成薄膜晶体管(TETs)的半导体器件，还涉及这种半导体器件的制造方法。已知由玻璃或类似材料作成的绝缘衬底上的TFTs半导体器件包括有源液晶显示器阵列和用这种TFTs激活象素的图象伟感器。一般，用于这些器件的TFTs由薄膜型的硅半导体制作。薄膜型的硅半导体大致分为非晶硅半导体(α-si)和晶体硅半导体。非晶硅半导体在低温下制造。此外，它们也很容易用化学汽相淀积法制造。而且，还能很容易地批量生产。所以，非晶体硅半导体享有最广泛的承认。然而，其物理性能，诸如导电率之类不如结晶硅半导体的性能。为了能由非晶体硅半导体达到较高速的特性，必须建立并渴望获得一种制造包括结晶硅半导体TFTs的方法，大家都知道，结晶硅半导体包括多晶体硅、硅微晶、含有结晶元的非晶硅，以及半非晶硅，即性质上介于结晶态与非结晶态之间的硅。获得这些结晶薄膜硅半导体的已知方法包括(1)制造时，直接产生结晶膜。(2)形成非晶半导体膜以后，再使该膜受激光辐照，使激光能赋予该膜以结晶性。(3)形成非晶半导体膜以后，将热能加于该膜，使其晶化。利用上述方法(1)，该...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括下列各步骤： 在一个绝缘表面上，形成一个包括非晶态硅的半导体膜； 配置催化剂材料，使之与所述半导体膜相接触，所述催化剂材料能促进所述非晶态硅的晶化； 通过热退火使配置了所述催化剂材料的所述半导体膜晶化；然后 在热退火之后用光辐照所述半导体膜，以使所述半导体膜进一步晶化。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1993-6-22 174736/93;JP 1993-6-25 180754/931.一种制造半导体器件的方法，包括下列各步骤在一个绝缘表面上，形成一个包括非晶态硅的半导体膜；配置催化剂材料，使之与所述半导体膜相接触，所述催化剂材料能促进所述非晶态硅的晶化；通过热退火使配置了所述催化剂材料的所述半导体膜晶化；然后在热退火之后用光辐照所述半导体膜，以使所述半导体膜进一步晶化。2.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征在于所述催化剂材料包括从下列金属所组成的物质组中所选出的金属Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Au和Ag。3.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征在于所述光是红外光。4.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征在于所述绝缘表面包括在一个玻璃衬底上所形成的氧化硅膜。5.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征在于所述热退火是在不高于600℃的温度下进行的。6.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征在于所述半导体膜的厚度在500至1500的范围内。7.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征在于所述光是激光。8.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征在于所述红外光峰值密度在0.5至5μm的波长范围内。9.一种制造半导体器件的方法，包括下列各步骤在一个绝缘表面上，形成一个半导体膜；配置催化剂材料，使之与所述半导体膜的选定区域相接触；通过热退火使所述半导体膜晶化，使得晶化从所述选定区域通过所述半导体膜水平地进行；然后在热退火之后用光辐照所述半导体膜，以使所述半导体膜进一步晶化。10.根据权利要求9的制造半导体器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宏勇，寺本聪，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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