太阳能电池装置的制造方法制造方法及图纸

太阳能电池装置（２）的制造方法，包括下列工序：在绝缘基极（１０）的表面上形成透明氧化物电极（１２）的工序；利用比设置该透明氧化物电极（１２）时的刻蚀气体的饱和蒸汽压高的卤素气体，清洗绝缘基极（１０）和透明氧化物电极（１２）的表面的工序；依次层叠表面处理层（１４）、氮化硅膜（１６）、ｐ型半导体层（１８）、缓冲层（２０）、本征半导体层（２２）、ｎ型半导体层（２４）、金属电极（２６），形成重叠结构的工序。如果采用该制造方法。则由于有清洗绝缘基板（１０）和透明氧化物电极（１２）的表面的工序，所以其表面清洁，透明性好，能获得所希望的光透射量。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可获得清洁的绝缘基板表面及透明氧化物电极表面、且能将所希望的光透射量供给半导体层的。
技术介绍
附图说明图10是表示现有太阳能电池装置102的结构的剖面图。太阳能电池装置102是这样形成的在作为透明玻璃基板的绝缘基板10的表面上形成透明氧化物电极12，并在该透明氧化物电极12的表面上依次重叠p型半导体层18、缓冲层20、本征半导体层22、n型半导体层24、金属电极26，形成重叠结构。绝缘基板10把从不形成透明氧化物电极12的另一侧表面(图中的下侧)入射的光传递给透明氧化物电极12。透明氧化物电极12是为了把通过绝缘基板10入射的光(主要是太阳光)，通过p型半导体层18及缓冲层20传导到本征半导体层22上，同时保持与p型半导体层18的欧姆性接触而形成的。p型半导体层18是为了把由入射光在本征半导体层22上生成的电荷载体(载流子)引导到透明氧化物电极12上而设置的由p型半导体构成的层。缓冲层20具有这样的功能防止p型半导体层18中含有的p型杂质(硼)混入本征半导体层22中而使其禁带宽度变窄。本征半导体层22是由用来吸收入射光后生成电荷载体的本征半导体形成的层。n型半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池装置的制造方法，其特征在于包括下列工序：对在绝缘基板上形成的金属膜进行刻蚀而形成透明氧化物电极的工序；利用比形成上述透明氧化物电极的工序中的刻蚀气体的饱和蒸汽压高的卤素气体，清洗上述绝缘基板表面和上述透明氧化物电极表面 的工序；在上述透明氧化物电极表面上依次形成ｐ型半导体层、本征半导体层及ｎ型半导体层的工序；以及在上述ｎ型半导体层上形成金属电极的工序。

【技术特征摘要】
JP 1998-1-28 15486/981.一种太阳能电池装置的制造方法，其特征在于包括下列工序对在绝缘基板上形成的金属膜进行刻蚀而形成透明氧化物电极的工序；利用比形成上述透明氧化物电极的工序中的刻蚀气体的饱和蒸汽压高的卤素气体，清洗上述绝缘基板表面和上述透明氧化物电极表面的工序；在上述透明氧化物电极表面上依次形成p型半导体层、本征半导体层及n型半导体层的工序；以及在上述n型半导体层上形成金属电极的工序。2.一种太阳能电池装置的制造方法，其特征在于包括下列工序对在绝缘基板上形成的金属膜进行刻蚀而形成透明氧化物电极的工序；用纯水清洗上述绝缘基板表面和上述透明氧化物电极表面的工序；在上述透明氧化物电极表面上依...

【专利技术属性】
技术研发人员：栁町信三，中山谕，
申请(专利权)人：时至准钟表股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]