【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电变换装置，特别是涉及将含微晶及多晶等大量晶粒的非单晶半导体作为光电变换层使用的光电变换装置。
技术介绍
近年来，在日本特开2001-284619号公报、特开2002-76396号公报提出利用微晶硅(μc-Si)半导体作为光电变换层的光电变换装置。在这里，所谓微晶硅(μc-Si)半导体为包括大量最大粒径约在100nm及以下的晶粒，并作为构成元素含Si的内部具有非晶态相的半导体。将这种微晶硅(μc-Si)作为光电变换层使用的光电变换装置其特征为，与非晶态硅(a-Si)构成的光电变换装置相比光劣化特别小。图6为说明将已有的微晶硅(μc-Si)作为光电变换层使用的光电变换装置的构造用的剖面图。下面参照图6说明将已有的微晶硅(μc-Si)作为光电变换层使用的光电变换装置的结构。如图6所示，已有的光电变换装置中，玻璃基板101的上表面上形成有膜厚约300nm的Ag组成的金属电极层102。又在金属电极层102的上表面上形成具有膜厚约100nm的铝添加氧化锌(AZO)组成的透明电极103。再在透明电极103的上表面上，依次将掺杂了磷的微晶硅(μc-Si)组成...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光电变换装置，其特征在于，包括有主表面的基板、在所述基板的主表面上形成的第一导电型的第一非单晶半导体层、在所述基板的主表面上形成的第二导电型的第二非单晶半导体层、以及，在所述第一非单晶半导体层和所述第二非单晶半导体层之间形成的，实质上本征的第三非单晶半导体层，在所述第一非单晶半导体层及所述第二非单晶半导体层中至少任意一方的半导体层与所述第三非单晶半导体层间的界面部分上，所述第三非单晶半导体层所含的晶粒大多在与基板的主表面实质上垂直的方向上具有长径，在所述界面部分，所述一方的半导体层所含的晶粒大多在与所述基板的主表面实质上平行的方向上具有长径。2.如权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于，所述一方的半导体层所含的晶粒在与所述基板的主表面平行方向上的平均晶粒直径比所述第三非单晶半导体层所含的晶粒在与所述基板的主表面平行方向上的平均晶粒直径大。3.如权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于，所述第一非单晶半导体层、所述第二非单晶半导体层、及所述第三非单晶半导体层由微晶半导体层组成。4.如权利要求3所述的光电变换装置，其特征在于，所述第一非单晶半导体层、所述第二非单晶半导体层、及所述第三非单晶半导体层由微晶硅层组成。5.如权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于，还具有电极层，该电极层形成于所述基板与所述第一非单晶半导体层和所述第二非单晶半导体层的任意一方之间，和所述第一非单晶半导体层及所述第二非单晶半导体层中的任意一方接触，所述电极层晶粒大多在与基板的主表面实质上垂直的方向上具有长径。6.如权利要求5所述的光电变换装置，其特征在于，所述电极层为透明电极层。7.如权利要求6所述的光电变换装置，其特征在于，所述透明电极层由AZO构成。8.如权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于，至少包括一个发电单元，该单元具有所述第一非单晶半导体层、所述第二非单晶半导体层、及所述第三非单晶半导体层。9.一种光电变换装置，其特征在于，包括具有主表面的基板、在所述基板的主表面上形成的第一导电型的第一非单晶半导体层、在所述基板的主...
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