提高半导体光电转换器件性能的方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体光电转换器件，其是将入射光与光电转换器件表面法线形成一小于９０度的夹角θ。其可提高半导体光电转换器件的光生电流和光电转换效率，其特点是倾斜半导体光电转换器件，使器件表面与入射光不垂直，而成一定的夹角。由于光线在器件中的路径不是沿与器件表面垂直的方向，因此光线在器件中的路径就比光线垂直入射的情况要长，这能使光在器件中得到更多的吸收，并产生更大的光生电流，进而提高光探测器的灵敏度或太阳能电池的效率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体光电转换器件的方法，特别是一种
技术介绍
当光照射到由P型和N型两种不同导电类型的半导体材料构成的P-N结上时，在一定条件下，光能被半导体吸收并产生电子和空穴两种载流子。在P-N结的内建静电场的作用下，电子和空穴在P-N结的两端形成光生电动势，这就是被称为光伏效应的光生伏特现象。如果光照在一块半导体上，而这块半导体又被加上电压，那么半导体中的光生载流子就能在外加电压导致的电场作用下形成光生电流，这是被称为光导效应的光生电导现象。利用半导体的光伏特性和光导特性可制造将光转换成电的半导体光电转换器件，其中利用光伏特性的半导体光电转换器件应用的较多。半导体的一个主要特点是其能带有一个禁带，这样，能量低于禁带宽度的光(红外波段的长波长光)就难以被半导体吸收，从而穿透半导体，这限制了传统半导体光电转换器件将红外光转换成电的能力。但实际的半导体并非是没有任何杂质缺陷的本征半导体，而是多少都带有一些杂质和缺陷，这些杂质和缺陷可以引起红外吸收。在这种吸收机制中，能带中价带里的电子受到红外光的激发后从价带跳跃到禁带中的缺陷能级，然后再受到红外光的激发从缺陷能级跳跃到导带上(见本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高半导体光电转换器件性能的方法，其特征在于，将入射光与光电转换器件表面法线形成一小于９０度的夹角θ。

【技术特征摘要】
1.一种提高半导体光电转换器件性能的方法，其特征在于，将入射光与光电转换器件表面法线形成一小于90度的夹角θ。2.根据权利要求1所述的提高半导体光电转换器件性能的方法，其特征在于，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建明，种明，杨丽卿，徐嘉东，胡传贤，段晓峰，高旻，朱建成，王凤莲，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]