【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到半导体光电器件。已有的半导体光电二极管，一般是二层结构，光灵敏度不够高，一般需加偏压工作，普通的光电池弱光转换效率低，限制其应用。本专利技术的宽势阱半导体光电器件由多层结构组成，具有弱光效率高，动态范围广，输出大，正常工作不需加偏压，其功能可替代带放大器的可见光光电电路和提高弱光电池效率。本专利技术与通常的光电二极管的区别在于(1)、以一个具有表面导电良好的多层结构代替了一般的二层结构，即在通常的光电二极管芯面上多加了一n型薄层;(2)具有以框状形式出现在通常光电二极管光敏面周界处的薄层结构;(3)输出极性与普通光电二极管相反;(4)正常工作时不需加偏压，且相当于带放大器的光电二极管，可应用于照相机等领域;(5)以本专利技术的结构为单元，采用红、绿、兰滤色器构成的色敏传感器，其体积比通常的光电二极管套上滤色器后构成的色敏传感器大大减小。本专利技术的宽势阱半导体光电器件，既可由n型衬底、p型扩散层、n型扩散层多层结构组成，也可由p型衬底、n型扩散层、p型扩散层多层结构组成。结合附图进一步说明附图说明图1，宽势阱半导体光电器件实施例1示意2，宽势阱半导体光电器件实施例2示意3，普通结构的半导体光电二极管示意4，普通结构的半导体光电池示意5，光谱响应曲线示意1，由n型半导体材料构成的衬底(1)、隔离沟道(2)、p型扩散层(3)、n+层(4)、氧化层(5)、n型扩散层(6)及分别与各层相连的电极(7、8、9)和滤色器(10)组成。图2，为了获得更高的信噪比，n型衬底(1)可由带隔离结构的衬底替代。隔离结构由在p型材料上生长n型外延层构成。图3...
【技术保护点】
半导体光电器件是由衬底（１）、隔离沟道（２）、Ｐ型扩散层（３）、ｎ↑［＋］层（４）、氧化层（５）、电极（７、８），其特征在于：其一它是由滤色器（１０）、ｎ型扩散层（６）、或由滤色器、Ｐ型半导体材料制成的衬底、ｎ型扩散层、Ｐ型扩散层以框状形式出现在光敏周界处的结构，在衬底、ｎ型扩散层、氧化层分别引出电极（７、８、９）及在衬底（１）扩散出隔离沟道（２）；其二呈箱式隔离状态。
【技术特征摘要】
1.半导体光电器件是由衬底(1)、隔离沟道(2)、P型扩散层(3)、n+层(4)、氧化层(5)、电极(7、8)，其特征在于其一它是由滤色器(10)、n型扩散层(6)、或由滤色器、P型半导体材料制成的衬底、n型扩散层、P型扩散层以框状形式出现在光敏周界处的结构，在衬底、n型扩散层、氧化层分别引出电极(7、8、9)及在衬底(1)扩散出隔离沟道(2)；其二呈箱式隔离状态。2.按照权利要求1，p型扩散层的面积决定器件的输出幅度。光从滤色器(10)注入，滤色器与p型...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈钟谋，林金庭，蒋宝富，李慧蕊，徐昌文，马云，辛洪起，陆鼎贤，
申请(专利权)人：机械电子工业部南京第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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