一种用于红外焦平面器件的复合铟柱的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于红外焦平面阵列探测器的复合铟柱及制备方法，该复合铟柱的特征是：外层由黄金包覆，内填满铟构成。复合铟柱制备的特征是首先在光刻孔内壁形成厚度为５００＊～７００＊黄金层，然后再真空蒸发淀积铟，部分铟自然填入由黄金层为内壁的孔内，由于填充的是热铟源，对黄金壁产生合金作用，从而形成由黄金层包覆，内填满铟构成的复合铟柱。本发明专利技术的最大优点是：制备出来的铟柱表面光滑，铟柱直径可达到１０－１２微米，中心距为６－１０微米，铟柱高度控制在１０－１２微米。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及红外焦平面阵列探测器，具体是指红外焦平面阵列探测器中的 光敏元芯片与读出电路芯片互联的复合铟柱及制备方法。技术背景红外焦平面阵列器件的主要性能参数之一是它的成像空间分辨率。 一个红 外焦平面阵列器件的成像空间分辨率特性取决于所包含的光敏元数目及其排列。 一个MXN光敏元红外焦平面阵列器件包含的像元数目为MXN个(M和 N为正整数)。红外焦平面阵列器件主要釆用混成结构，混成结构是把已经制造好的MX N光敏元阵列芯片和具有MXN个输入节点的硅信号处理电路芯片通过铟珠阵 列实现机械和电学的连接，使信号敏感、信号读出和电子扫描得以在一个器件 中完成。混成结构的优点是可以对红外探测器阵列芯片和硅信号处理电路分别 进行工艺改进和性能挑选，从而保证红外焦平面阵列器件的整体性能得到优 化。但混成结构的实现难度很大，其中关键之一是要在红外探测器阵列芯片和 硅信号处理电路芯片上分别生长高密度、细直径、高度足够且一致性好的铟珠 阵列，以便进行混成互连。对于铟珠阵列的制备方法，chneider在Proc. SPIE Vol 1683, 127(1992)中评述了四种主要的方法脉冲电镀法、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于红外焦平面器件的复合铟柱，其特征在于：所说的复合铟柱外层由黄金包覆，内填满铟构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱建妹，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]