不对称的薄膜晶体管结构制造技术

本发明专利技术提供一种不对称的薄膜晶体管结构，其包含有一衬底，一半导体层以及一栅极分别设于该衬底上。该半导体层包含有一第一轻掺杂区以及一第一重掺杂区设于该栅极的一侧，一第二轻掺杂区以及一第二重掺杂区设于该栅极的另一侧。该第一轻掺杂区与该第一重掺杂区之间包含有一第一界面，该第二轻掺杂区与该第二重掺杂区之间包含有一第二界面，且其中该第一界面与其邻近的一第一栅极侧壁间的间距与该第二界面与其邻近的一第二栅极侧壁间的间距不相等。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种不对称的薄膜晶体管(thin film transistor, TFT)结构，尤 指一种液晶显示器(liquid crystal display, LCD)的不对称薄膜晶体管结构。
技术介绍
薄膜晶体管的有源层由半导体材料组成，可以提供高电子迁移率，因此 已广泛应用于各式功能电路设计中。举例而言，薄膜晶体管液晶显示器 (TFT-LCD)运用了大量的薄膜晶体管在其像素电路以及外围驱动电路等两大 功能电路设计中。由于像素电路以及外围驱动电路的功能以及操作情况并不 相同，因此其各自的薄膜晶体管特性需求也不尽相同。在像素电路方面，由 于薄膜晶体管主要是用来作为像素的开关元件，提供适当的电压来控制液晶分子的旋转角度，因此其特别需要降低漏电流(off-current),以维持储存于像 素储存电容中的电荷。请参考图1，图l是现有一薄膜晶体管结构的剖面示意图。薄膜晶体管 10包含有一衬底12， 一半导体层14设于衬底12表面， 一栅极绝缘层16设 于半导体层14表面，以及一栅极18设于栅极绝缘层16表面。半导体层14 包含有两轻掺杂漏极(lightly doped drain, 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种不对称的薄膜晶体管结构，其包含有：一衬底；一半导体层设于该衬底上，该半导体层包含有一沟道区，单一轻掺杂区以及一第一重掺杂区设于该沟道区的一侧，以及一第二重掺杂区设于该沟道区的另一侧；以及一栅极设于该衬底上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈坤宏，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]