使用氧化物膜用于沟道的场效应晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种包括作为半导体层的氧化物膜的场效应晶体管，其中所述氧化物膜包括添加有氢和氘之一的源极部分和漏极部分之一。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括作为半导体层的氧化物膜的场效应晶体管、制造 它的方法以及显示装置。本专利技术特别涉及具有能够应用于显示装置等 的晶体管特性的场效应晶体管、制造它的方法以及显示装置。
技术介绍
场效应晶体管(FET)是具有栅极电极、源极电极和漏极电极的 三端子装置。而且，场效应晶体管是其中通过施加到栅极电极的电压 来控制流过沟道层的电流(源极电极和漏极电极之间的电流)的电子 有源装置。特别地，使用薄膜作为沟道层的FET被称作薄膜FET(薄 膜晶体管，TFT)。可以在由陶瓷、玻璃或塑料等形成的几种基板上 形成所述装置。因为上述TFT使用薄膜技术，所以该TFT具有易于形成在具有 相对大面积的基板上的优点，并且被广泛地用于诸如液晶显示装置的 平板显示装置中作为驱动装置。更具体地说，在有源液晶显示器 (ALCD)中，将形成在玻璃基板上的TFT用于打开和关闭单个的图像 像素。在将来的高性能有机LED显示器(OLED)中，用TFT电流 驱动像素也被认为是有效的。而且，实现了更高性能的液晶显示装置，其中，在基板上在图像显示区域附近形成具有驱动和控制整个图像的 功能的TFT电路。当前使用最广泛的T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管，包括作为半导体层的氧化物膜，　其中所述氧化物膜包括添加有氢和氘之一的源极部分和漏极部分之一。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎达哉，云见日出也，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]