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本发明提供一种包括作为半导体层的氧化物膜的场效应晶体管，其中所述氧化物膜包括添加有氢和氘之一的源极部分和漏极部分之一。...
该专利属于佳能株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过佳能株式会社授权不得商用。

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