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不对称的薄膜晶体管结构制造技术
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下载不对称的薄膜晶体管结构的技术资料
文档序号:3236043
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本发明提供一种不对称的薄膜晶体管结构,其包含有一衬底,一半导体层以及一栅极分别设于该衬底上。该半导体层包含有一第一轻掺杂区以及一第一重掺杂区设于该栅极的一侧,一第二轻掺杂区以及一第二重掺杂区设于该栅极的另一侧。该第一轻掺杂区与该第一重掺杂区...
该专利属于友达光电股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过友达光电股份有限公司授权不得商用。
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