磷化铟基光电子器件中楔形腔和平行腔结构实现方法技术

本发明专利技术涉及一种ＩｎＰ（磷化铟）基光电子器件，特别涉及此器件中的楔形腔和平行腔的实现方法。本发明专利技术特征在于利用选择性腐蚀在ＩｎＰ基半导体外延层上实现具有特定倾角的楔形结构，以及实现基于空气隙的平行腔结构。其中楔形结构的倾角可以通过选择不同的腐蚀液的组分比例来调节。本发明专利技术涉及的方法具有与半导体集成工艺兼容的特点，势将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而深远的影响。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有楔型腔或非平行腔结构的磷化铟(InP)基光电子器件的制备方法，特别涉及了光探测器中楔形结构以及基于空气隙的谐振腔结构的实现方法。
技术介绍
目前的各种半导体光电子器件，其结构上的一大特点就是在垂直于其衬底的方向上属于分层结构，并且各层结构之间通常是彼此平行的(且平行于衬底表面)，这是由于半导体外延生长工艺所决定的。多年来半导体器件的发展均承袭了这一结构。近年来，随着光通信、光信息处理技术的飞速发展，楔形结构在光波导互连(如光波模式变换)、解复用接收器件(平行腔间解耦)以及角色散元件(如棱镜)中起着越来越关键的作用。目前制备楔形结构所采用的工艺主要有激光辅助外延技术，选择区域外延(SAG)技术等，但是这些技术需要对生长设备进行改造或需要进行多次外延生长，工艺复杂，成本较高。利用腐蚀液对不同材料的腐蚀速率差异即选择性腐蚀来实现楔形结构，具有工艺简单、易于实现等优点，同时可以通过调节腐蚀液的选择性来获得各种不同倾角的楔形结构，并且楔形结构可以在外延层上的任意位置实现。GaAs(砷化镓)基上的楔形结构已经在实验上实现了。但是InP(磷化铟)基的楔型结构的制备还未有报本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磷化铟基光电子器件中楔形腔和平行腔结构实现方法，其特征在于，利用腐蚀液对引导层和外延层的腐蚀速率差异即选择性腐蚀，在ＩｎＧａＡｓＰ外延层上实现具有所需要倾角的楔形结构。其中通过改变腐蚀液的组分配比来达到改变腐蚀液对引导层和外延层材料的速率腐蚀比，从而实现不同倾角的楔形结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：任晓敏，王兴妍，黄辉，王琦，黄永清，
申请(专利权)人：北京邮电大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]