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本发明涉及一种ＩｎＰ（磷化铟）基光电子器件，特别涉及此器件中的楔形腔和平行腔的实现方法。本发明特征在于利用选择性腐蚀在ＩｎＰ基半导体外延层上实现具有特定倾角的楔形结构，以及实现基于空气隙的平行腔结构。其中楔形结构的倾角可以通过选择不同的腐蚀...
该专利属于北京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京邮电大学授权不得商用。

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