【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通过提高硅太阳能电池装置的开路端电压，实现高变换效率的硅。附图说明图10是表示现有技术的太阳能电池装置102的结构的剖视图。太阳能电池装置102，是在作为透明玻璃基片的绝缘性基片10的表面上形成透明氧化物电极12，同时在该透明氧化物电极12的表面上依次叠合p型半导体层18，缓冲层20，本征半导体层22，n型半导体层24，金属电极26而形成多层结构。绝缘性基片10，把从未形成透明氧化物电极12的一侧表面(图面的下侧)入射的光传达到透明氧化物电极12。透明氧化物电极12，是为了经由绝缘性基片10把入射的光(主要是太阳光)引导到p型半导体层18并经由缓冲层20引导到本征半导体层22，同时保持与p型半导体层18的欧姆接触而形成的。p型半导体层18，是为了把由入射光在本征半导体层22中产生的电荷载体引导到透明氧化物电极12而设置的由p型半导体组成的层。缓冲层20，具有防止在p型半导体层18中包含的掺杂物(硼)混入本征半导体层22而使其禁带宽度狭窄化的缓冲层的作用。本征半导体层22，是由吸收入射光而产生电荷载体用的本征半导体形成的层。n型半导体层24，是为...
【技术保护点】
一种太阳能电池装置，在绝缘性基片上设置有透明氧化物电极，在该透明氧化物电极上依次设置有ｐ型半导体层和本征半导体层和ｎ型半导体层，同时在该ｎ型半导体层上设置有金属电极，其特征在于，在所述透明氧化物电极的表面上设置施行氧化性等离子体处理而成 的表面处理层，并经由该表面处理层设置所述ｐ型半导体层。
【技术特征摘要】
JP 1998-1-22 10071/981．一种太阳能电池装置，在绝缘性基片上设置有透明氧化物电极，在该透明氧化物电极上依次设置有p型半导体层和本征半导体层和n型半导体层，同时在该n型半导体层上设置有金属电极，其特征在于，在所述透明氧化物电极的表面上设置施行氧化性等离子体处理而成的表面处理层，并经由该表面处理层设置所述p型半导体层。2．权利要求1所述的太阳能电池装置，其特征在于，在所述表面处理层与所述p型半导体层之间有氮化硅膜。3．权利要求1所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述透明氧化物电极的未设置所述p型半导体层的侧面形成从上端向所述绝缘性基片逐渐向外倾斜的锥状。4．权利要求2所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述透明氧化物电极的未设置所述p型半导体层的侧面形成从上端向所述绝缘性基片逐渐向外倾斜的锥状。5．一种太阳能电池装置的制造方法，其特征在于包括在绝缘性基片上形成透明氧化物电极的工序...
【专利技术属性】
技术研发人员：町信三，
申请(专利权)人：时至准钟表股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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