【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长工艺，和如光电转换元件的半导体器件及其制造方法。本专利技术尤其涉及在多孔半导体上生长外延半导体的晶体生长工艺，和由此形成的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
由于产生热功率时油的燃烧，汽车发动机汽油的燃烧等，这些温室效应气体的排放，如二氧化碳和氮氧化物，导致全球环境污染。同样地，未来原油枯竭也同样令人担忧。因此，太阳能发电作为一种干净的能源日益重要起来。薄膜晶体硅太阳能电池的发电层是如此的薄以致于只需使用少量硅材料，并且因此能实现低成本。同样地，既然晶体硅被用于发电层，那么相对非晶体硅太阳能电池，可能产生高转换效率和低退化。而且，既然薄膜晶体硅太阳能电池能在一定程度上弯曲，当使用时，它们能固定于汽车车体的曲线部分、家用电器、屋顶瓦片上。为了使如此的薄膜晶体硅太阳能电池具体化，如日本专利公开说明书8-213645所公开的，利用在一个多孔硅层上形成的外延层以分离出薄膜单晶体硅。图24是公开的形成薄膜晶体硅太阳能电池的工艺的横截面视图。图24中数字101指硅晶片；102，多孔硅层；103，P+型硅层；104，P-型硅层；105，n+型硅层；10...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光电转换元件，包括从光入射侧提供的抗反射层、硅层和电极，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：岩根正晃，中川克已，西田彰志，浮世典孝，岩崎由希子，水谷匡希，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：
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