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提供一种制造半导体器件之方法，该器件有源区域之晶态硅膜形成于基板之绝缘表面上。方法包括下述步骤：在基板上形成第一非晶态硅膜；在成膜前后，选择性地导入促进结晶之催化剂元素；对该膜加热使之结晶化，在导入元素周围，其方向大致与基板表面平行；在晶态...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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