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一种利用离子植入技术制造只读存贮器元件的方法，其特点是在已完成栅极与源／漏极的元件上全面沉积－ＳｉＯ↓［２］层；再沉积一层硼磷硅酸盐玻璃；再用金属接触光掩模刻蚀至露出源／漏极顶部、后除去光阻；再用接触栓光掩模作离子植入，后除出光阻；再利用编...
该专利属于台湾茂矽电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾茂矽电子股份有限公司授权不得商用。

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