注入磷形成补偿的器件沟道区的半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术为一种利用磷的离子注入以形成补偿的沟道杂质分布的半导体器件制造方法，其步骤包含有，在硅基片上形成牺牲氧化物层，进行调整阈电压的离子注入，去除牺牲氧化物层，沉积一栅极氧化物层，沉积一栅极多晶硅层，限定及蚀刻栅极多晶硅层，从而得到栅极，进第一次离子注入磷以得到轻掺杂漏极，及进行第二次离子注入磷至沟道中，以形成补偿的沟道杂质分布曲线。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种形成补偿的半导体器件沟道杂质分布曲线的制造方法，特别是一种通过多晶硅栅极向沟道注入磷离子以缓和沟道杂质分布曲线的新制造方法。在惯用制造方法中，为调整阈电压(Threshold Voltage)所作的离子注入在MOS(Metal Oxide Semiconductor)场效应氧化物半导体的设计上是非常重要的，例如，具有N型重掺杂多晶硅栅极的NMOS常用离子注入硼至器件沟道中而调整阈电压，参见附图说明图1，为由离子注入硼而获得沟道的最终浓度分布(Profile)曲线图，图中显示的是随着沟道深度的增加，硼浓度会减少；然而，如图1所示，随着沟道深度的增加，硼浓度减少的幅度甚大；且因为离子注入所造成的沟道表面杂质浓度提高而有减低电子有效迁移率的反效果。参见图2，为依据惯用的离子注入硼以调整阈电压制造方法，所测得的漏极电流对栅极电压曲线图。图中曲线21表示漏极电压为5V(Vd＝5V)时，曲线22表示漏极电压为0.1V(Vd＝0.1V)时；当栅极电压为0V(Vg＝0V)时，曲线21对应所得的漏极电流为3.75pA，此为器件一般操作于正常状况时(Vd＝5V，Vg＝0V)的漏电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用磷的离子注入以形成补偿的沟道杂质分布半导体器件的制造方法；其步骤包含： 在硅基片上形成牺牲氧化物层； 进行调整阈电压的离子注入； 去除该牺牲氧化物层； 形成一栅极氧化物层； 沉积一栅极多晶硅层； 限定及蚀刻该栅极多晶硅层，以形成栅极； 进行第一次离子注入磷以形成轻掺杂漏极； 进行第二次离子注入磷至沟道中，以形成补偿的沟道杂质分布曲线。

【技术特征摘要】
1.一种利用磷的离子注入以形成补偿的沟道杂质分布半导体器件的制造方法；其步骤包含在硅基片上形成牺牲氧化物层；进行调整阈电压的离子注入；去除该牺牲氧化物层；形成一栅极氧化物层；沉积一栅极多晶硅层；限定及蚀刻该栅极多晶硅层以形成栅极；进行第一次离子注入磷以形成轻掺杂漏极；进行第二次离子注入磷至沟道中，以形成补偿的沟道杂质分布曲线。2.如权利要求1的制造方法，其中，所述的调整阈电压的离子注入步骤，是对已形成牺牲氧化物层的硅基片离子注入硼。3.如权利要求1的制造方法，其中，所述的牺牲氧化物层厚度约为200～500埃(Angstrom)。4.如权利要求1的制造方法，其中，所述的栅极氧化物层厚度约为100～300埃。5.如权利要求1的制造方法，其中，所述的栅极多晶硅层厚度约为2000～3000埃。6.如权利要求1的制造方法，其中，所述的第一次离子注入磷步骤是...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄敏宏，张三荣，王志贤，
申请(专利权)人：台湾茂矽电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]