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本发明为一种利用磷的离子注入以形成补偿的沟道杂质分布的半导体器件制造方法，其步骤包含有，在硅基片上形成牺牲氧化物层，进行调整阈电压的离子注入，去除牺牲氧化物层，沉积一栅极氧化物层，沉积一栅极多晶硅层，限定及蚀刻栅极多晶硅层，从而得到栅极，进...
该专利属于台湾茂矽电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾茂矽电子股份有限公司授权不得商用。

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