注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术为一种利用氟离子的注入以避免器件有源区形成凹洞的半导体器件的制造方法，其步骤包含有，形成衬垫层于硅基片上，在衬垫层上沉积一多晶硅缓冲层，注入氟离子至多晶硅缓冲层，沉积一氮化硅层，限定器件有源区，形成场氧化物层，去除氮化硅层，干蚀刻多晶硅缓冲层，及蚀刻衬垫层，以露出有源区硅基片表面。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多晶硅缓冲局部氧化PBLOCOS＜Poly BufferedLOCal Oxide of Silicon＞半导体器件的制造方法，特别是一种利用注入氟离子至多晶硅缓冲层使半导体晶片表面不会产生凹洞，以提高器件可靠度及成品率的制造方法。传统的硅局部氧化(LOCOS LOCal Oxide of Silicon)技术可适合于0.5微米以上的制造技术，在64M及以上之动态随机存取存储器＜DRAM Dynamic Random Access Memory＞制造方法中，器件尺寸更小且器件密度增加，发展有效及可靠的隔离制造方法以隔离器件有源区益形重要，故更先进的局部氧化技术是必须的，多晶硅缓冲局部氧化PBLOCOS＜Poly Buffered LOCal Oxide of Silicon＞制造方法是用以进一步压制侧向氧化以适合亚微米器件隔离目的的一种改良制造方法，此种利用多晶硅层作为氧化硅与氮化硅层间的应力缓冲层的制造方法，虽可在场氧化物生成的过程中消除鸟嘴效应(Bird′s Beak Effect)，然而，在去除多晶硅及氮化硅后，却免不了形成凹洞(Pits)，凹洞的成因是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用氟离子的注入以避免器件有源区形成凹洞的半导体器件的制造方法，其步骤包含： 在硅基片上形成衬垫层； 在该衬垫层上沉积一缓冲层； 将氟离子注入该缓冲层； 沉积一氮化硅层； 限定器件有源区； 形成场氧化物层。

【技术特征摘要】
1.一种利用氟离子的注入以避免器件有源区形成凹洞的半导体器件的制造方法，其步骤包含在硅基片上形成衬垫层；在该衬垫层上沉积一缓冲层；将氟离子注入该缓冲层；沉积一氮化硅层；限定器件有源区；形成场氧化物层。2.如权利要求1的制造方法，其中，所述形成场氧化物层步骤之后还包含去除该氮化硅层；干蚀刻缓冲层，以去除该缓冲层；蚀刻该衬垫层，以露出有源区硅基片表面。3.如权利要求1的制造方法，其中，所述的衬垫层为氧化硅层。4.如权利要求3的制造方法，其中，所述的氧化硅层厚度约为60～200埃(Angstrom)。5.如权利要求1的制造方法，其中，所述的缓冲层为多晶硅层。6.如权利要求5的制造方法，其中，所述的多晶硅层厚度约为500～600埃(Angstrom)。7.如权利要求1的制造方法，其中，所述的氮化硅层厚度约为1500～2000埃。8.如权利要求1的制造方法，其中，所述的形成场氧化物层步骤为在约1000℃下利用湿式氧化法(Wet Oxida...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄敏宏，王志贤，倪诚聪，
申请(专利权)人：台湾茂矽电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]