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本发明为一种利用氟离子的注入以避免器件有源区形成凹洞的半导体器件的制造方法，其步骤包含有，形成衬垫层于硅基片上，在衬垫层上沉积一多晶硅缓冲层，注入氟离子至多晶硅缓冲层，沉积一氮化硅层，限定器件有源区，形成场氧化物层，去除氮化硅层，干蚀刻多晶...
该专利属于台湾茂矽电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾茂矽电子股份有限公司授权不得商用。

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