双面太阳能电池的制造方法技术

一种双面太阳能电池的制造方法，至少包含步骤：提供半导体基板；于半导体基板的第一表面上形成射极层，并于半导体基板与射极层间形成ｐｎ结；于射极层上形成第一抗反射膜；于半导体基板的第二表面上以网版印刷技术形成掺杂源层；于半导体基板与掺杂源层间形成背表面电场层；于背表面电场层上形成第二抗反射膜；于第二表面上形成至少一第二电极；以及于第一表面上形成至少一第一电极。本发明专利技术所提供的双面太阳能电池的制造方法可以有效简化工艺，并可大幅缩短整体的工艺时间，且可进一步节省成本，使得双面太阳能电池的制造过程更为简便、快速以及有效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电元件的制造方法，尤指一种双面太阳能电池(Solarcell)的制造方法。
技术介绍
现今，由于全球能源的持续短缺且对于能源的需求与日倶增，因此如何提供环保且干净的能源便成为目前最迫切需要研究的议题。在各种替代性能源的研究当中，利用自然的太阳光经由光电能量转换产生电能的太阳能电池，为目前所广泛应用且积极研发的技术，且随着太阳能电池研发技术的精进，更已研发出双面的太阳能电池(Bifacial SolarCell)，通过太阳能电池双面受光的设计，使得太阳能电池的两个表面皆可接收光线，并转换太阳能，进而可有效地提升双面太阳能电池的效率。 请参阅图1A-图IE，其为显示传统双面多晶硅薄膜技术(Multi-crystalline,mc-Si)的太阳能电池的制造流程结构示意图。如图1A所示，首先，提供P型半导体基板10，并将P型半导体基板10的表面形成凹凸的纹理(Texturing)，以减低光线的反射率，其中由于凹凸的纹理相当细微，因此在图1A中省略示出。接着，提供掺杂剂及利用热扩散的方式在第一表面SI形成由N+型半导体所构成的射极层11 (Emitter)，且在P型半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面太阳能电池的制造方法，至少包含步骤：提供一半导体基板；形成一射极层于该半导体基板的一第一表面上，并于该半导体基板与该射极层间形成ｐｎ结；形成一第一抗反射膜于该射极层上；以网版印刷技术形成一掺杂源层于该半导体基板的一第二表面上；形成一背表面电场层于该半导体基板与该掺杂源层间；形成一第二抗反射膜于该背表面电场层上；形成至少一第二电极于该第二表面上；以及形成至少一第一电极于该第一表面上。

【技术特征摘要】
一种双面太阳能电池的制造方法，至少包含步骤提供一半导体基板；形成一射极层于该半导体基板的一第一表面上，并于该半导体基板与该射极层间形成pn结；形成一第一抗反射膜于该射极层上；以网版印刷技术形成一掺杂源层于该半导体基板的一第二表面上；形成一背表面电场层于该半导体基板与该掺杂源层间；形成一第二抗反射膜于该背表面电场层上；形成至少一第二电极于该第二表面上；以及形成至少一第一电极于该第一表面上。2. 如权利要求1所述的双面太阳能电池的制造方法，其中于提供该半导体基板的步骤还包括形成凹凸纹理于该半导体基板表面的步骤。3. 如权利要求1所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成该射极层于该半导体基板的该第一表面上，并于该半导体基板与该射极层间形成pn结的步骤还包括移除形成于该射极层上方的一磷硅玻璃层的步骤。4. 如权利要求1所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成该第一抗反射膜于该射极层上的步骤是以等离子体辅助化学气相沉积法形成该第一抗反射膜，且该第一抗反射膜为一氮硅化合物。5. 如权利要求1所述的双面太阳能电池的制造方法，其中该掺杂源层由3A族的胶质薄膜所构成，且该掺杂源层为一铝胶质薄膜。6. 如权利要求1所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成该背表面电场层于该半导体基板与该掺杂源层间的步骤还包括移除该第二表面上的该掺杂源层的步骤，且该第二抗反射膜为一氮硅化合物。7. 如权利要求1所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成该第二抗反射膜于该背表面电场层上的步骤还包括移除部分的该第二抗反射膜并暴露出部分的该背表面电场层的步骤，且该第二抗反射膜为一氧化合物。8. 如权利要求1所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成至少该第二电极于该第二表面上的步骤还包括形成一第二导电材料于该半导体基板的该第二表面上以及使部分的该第二导电材料形成该第二电极的步骤，以及形成至少该第一电极于该第一表面上的步骤还包括形成一第一导电材料于该半导体基板的该第一表面上以及使部分的该第一导电材料形成该第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈昌宏，罗珮婷，游志成，曾玉珠，
申请(专利权)人：台湾茂矽电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]