薄膜太阳能电池的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜太阳能电池的制造方法，在薄膜太阳能电池的制造过程中，ＴＣＯ前电极、ＴＣＯ复合层和ＴＣＯ背电极中的至少一层采用ＰＥＣＶＤ工艺形成，根据本发明专利技术，用于硅薄膜太阳能电池中的一层或多层ＴＣＯ膜层是在与形成ｐ－ｉ－ｎ氢化硅薄膜的同一个ＰＥＣＶＤ设备中所形成，能够大幅度降低生产成本并提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏太阳能电池
，特别涉及一种薄膜太阳能电 池的制造方法。
技术介绍
随着能源的日益短缺，可再生绿色能源的开发和利用越来越受到人 们的关注，尤以太阳能的利用特別受到世人的青睞。作为太阳能转换媒 介的太阳能电池，特別是近年来出现的氢化非晶硅或纳米晶硅薄膜太阳 能电池，以其大面积、低成本、可生成在轻薄衬底上并易于铺设安装等 优势代表着光伏技术的发展趋势。氩化非晶硅和纳米晶硅薄膜太阳能电池(以下简称薄膜太阳能电池)为叠层结构，通常包括p-i-n光电单元，其中，p层和n层在非摻杂的本 征i层(吸收层)中建立一个内置电场，从而使光致载流子被有效的收集。 p-i-n光电单元被夹在前后两个电极中形成完整的光仗元件。通常使用的 前电极必须具有良好的透明度和导电性，由透明导电氣化物(TCO)組 成，例如氧化锡或氧化锌薄膜。后电极通常由一个TCO和不透光的金属 薄膜共同組成，其一个重要作用就是将未被吸收的光反射回p-i-n光电单 元之中。通常，具有单一p-i-n光电单元的薄膜太阳能电池的转换效率通 常比较低，因此多采用数个p-i-n光电单元叠加技术，也就是将两个或更 多个p-i-n本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜太阳能电池的制造方法，包括下列步骤：　在ＰＥＣＶＤ反应室中提供玻璃基板；　采用ＰＥＣＶＤ工艺在所述玻璃基板表面沉积ＴＣＯ前电极；　在所述ＴＣＯ前电极表面原位沉积ｐ－ｉ－ｎ硅薄膜；　在ＰＥＣＶＤ反应室中原位沉积 ＴＣＯ背电极。

【技术特征摘要】
1、一种薄膜太阳能电池的制造方法，包括下列步骤在PECVD反应室中提供玻璃基板；采用PECVD工艺在所述玻璃基板表面沉积TCO前电极；在所述TCO前电极表面原位沉积p-i-n硅薄膜；在PECVD反应室中原位沉积TCO背电极。2、 如权利要求1所述的方法，其特征在于所迷方法还包括采用 PECVD工艺在PECVD反应室中原位沉积TCO复合层的步骤。3、 如权利要求1所述的方法，其特征在于所述TCO前电极和TCO 背电极为氧化锌、氧化锡或铟锡氣化物。4、 如权利要求2所述的方法，其特征在于所述TCO复合层为氣 化锌。5、 如权利要求l或3所述的方法，其特征在于所述反应室中的气 压为lmbar 30mbar，玻璃基板的温度为150°C~260°C。6、 一种薄膜太阳能电池的制造方法，所述薄膜太阳能电池至...

【专利技术属性】
技术研发人员：李沅民，杨与胜，
申请(专利权)人：福建钧石能源有限公司，
类型：发明
国别省市：35[中国|福建]