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一种利用大角度离子布植及后侧壁子制程的互补型金氧半场效应晶体管的制造方法，其步骤如下：制造硅基板；进行离子植入形成淡掺杂漏极；形成侧壁子；应用第一光罩形成Ｎ型离子植入区；应用第二光罩形成Ｐ型离子植入区；在场氧化层及晶体管上沉积绝缘层；应用第...
该专利属于台湾茂矽电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾茂矽电子股份有限公司授权不得商用。

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