【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种利用双侧壁子(DoubleSpacer)以及大角度离子布值或厚侧壁子以及大角度离子布值的，其特点是可以减少制造过程中光罩使用次数。在半导体领域中，由于元件结构日益趋向小型化，因此精细制程方法不断改进与发展。当元件尺寸不断缩小，则栅极长度随之缩减，自然通道(channel)长度也不断缩减，当通道长度在次微米以下时，即产生所谓短通道效应(ShortChannel Effect)，其中以在短通道效应中所引起的N通道MOS晶体管中的热载子效应(Hot Carrier Effect)和通道MOS晶体管中的穿透效应(PunchthronghEffect)最值得注意，热载子的产生是由于元件尺寸缩减，若电源仍然保持定值则元件的横向电场会大量增加并且集中在漏极附近以至于热载子产生，另外，由于元件中横向电场会使得N通道中的电子获得较大能量，以产生电子电洞对，其中部分热载子受电场影响而注入栅极氧化层，因此改变元件临限电压Vt，另外饱合电流(saturation current)、转移电导(Transconductance)、载子移动率(Carrier Mobi...
【技术保护点】
一种互补型金氧半场效应晶体管的制造方法，其可在一硅板上，形成Ｎ通道场效应晶体管，其步骤如下： （ａ）提供一硅基板，其上至少已形成Ｐ型井区、Ｎ型井区、数个栅极； （ｂ）以该数个栅极为光罩，对于硅基板全面性进行Ｎ↑［－］离子小角度植入，以形成第一Ｎ型离子植入区；（ｃ）形成第一侧壁子； （ｄ）遮住欲形成Ｐ通道场效应晶体管区域，进行第一Ｎ↑［＋］型离子小角度植入，以形成第二Ｎ型离子植入区； （ｅ）形成第二侧壁子； （ｆ）遮住欲形成Ｐ通道场效应晶体管区域，进行第二Ｎ↑［＋］型离子小角度植入，形成第三Ｎ型离子植入区； （ｇ）遮住欲形成Ｎ通道场效应晶体...
【技术特征摘要】
1.一种互补型金氧半场效应晶体管的制造方法，其可在一硅板上，形成N通道场效应晶体管，其步骤如下(a)提供一硅基板，其上至少已形成P型井区、N型井区、数个栅极；(b)以该数个栅极为光罩，对于硅基板全面性进行N-离子小角度植入，以形成第一N型离子植入区；(c)形成第一侧壁子；(d)遮住欲形成P通道场效应晶体管区域，进行第一N+型离子小角度植入，以形成第二N型离子植入区；(e)形成第二侧壁子；(f)遮住欲形成P通道场效应晶体管区域，进行第二N+型离子小角度植入，形成第三N型离子植入区；(g)遮住欲形成N通道场效应晶体管区域，进行P-型离子大角度植入，形成第一P型离子植入区，再进行P+型离子小角度植入，形成第二P型离子植入区；(h)在场氧化层和晶体管元件上，沉积绝缘层；(i)蚀刻部分绝缘层，形成接触窗。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述离子小角度植入，意指植入方向与垂直所述硅基板方向之间的角度为0度至7度。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述离子大角度植入，指植入方向与垂直所述硅基板方向间的角度约为20度至70度之间。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述N-离子小角度植入，其植入方向与垂直于所述硅基板方向间的角度为0度至7度，植入物种的能量为30至80KeV，浓度为5E12至5E13cm-2的磷。5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一侧壁子的宽度为400至1000之间。6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一N+型离子植入方向与垂直于所述硅基板方向相距0度至7度，植入物种的能量为60至90KeV，浓度为1E15至5E15cm-2的砷。7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二侧子的宽度为800至2000之间。8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二N+型离子植入方向与垂直于所述硅基板方向相距0度至7度，植入物种的能量为30至80KeV，浓度为3E15至6E15cm-2的磷。9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二P-型离子植入方向与垂直所述硅基板方向相距约20度至70度，植入物种能量为30至120KeV，浓度为1E13至3E13的二氟化硼。10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于所述P+型离子植入方向度与垂直所述硅基板方向相距约为0度至7度，植入物种能量为30至60KeV，浓度为2E15至6E15的二氟化硼。11.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述植入P-型离子与P+型离子的植入先后次序可交换。12.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其特征在于，所述沉积在场氧化层和晶体管元件上的绝缘层为硅酸盐玻璃绝缘层。13.一种互补式金氧半场效应晶体管制造方法，其特征在于，在一硅基板上，形成N通道场效应晶体管和P通道场效应晶体管，其步骤如下(a)提供所述硅基板，其上至少已形成P型井区，N型井区、数个栅极；(b)形成第一侧壁子；(c)遮住欲形成所述P通道场效应晶体管区域，进行N-型离子植入，其中该N-型离子植入方向与垂直所述硅基板方向相距不小于20度，以形成第-N型离子植入区，然后再进行第一N+型离子植入，以形成第二N型植入区；(d)形成第二侧壁子；(e)遮住欲形成P通道场效应晶体管的区域，进行第二N+型离子小角度植入，形成第三N型离子植入区；(f)遮住欲形成所述N通道场效应晶管区域，进行P-型离子植入，其中P-型离子植入方向与垂直所述基板方向相距不小于20度，以形成第一P型离子植入区，然后再进行P+型离子植入，以形成第二P型离子植入区；(g)在场氧化层和晶体管元件上，沉积绝缘层；(h)蚀刻部分绝缘层，以形成接触窗。14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第一侧壁子的宽度为400至1000之间。15.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述N-型离子的植入方向与垂直所述硅基板方向相距约20度至70度，植入的物种为砷，其浓度为5E12-5E13cm-3，其植入能量为30KeV至80KeV。16.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第-N+型离子植入方向与垂直所述硅基板方向相距0度至7度，植入的物种为...
【专利技术属性】
技术研发人员：王志贤，陈民良，
申请(专利权)人：台湾茂矽电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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