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一种利用双侧壁子以及大角离子布植的互补型金氧半场效应晶体管的制造方法，其可在一硅基板上形成Ｎ通道和Ｐ通道场效应晶体管，其步骤如下：ａ、提供一具有Ｐ型井区、Ｎ型井区及数个栅极的硅基板；ｂ、以栅极为光罩形成一Ｎ型离子植入区；Ｃ、形成第一侧壁子；...
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