半导体器件、该器件的制造方法和所使用的引线架技术

本发明专利技术提供一种半导体器件，制造该半导体器件的方法，和所使用的一种引线架。在该半导体器件中扁平内引线这样连接到半导体晶片上，以致内引线的侧面连接到半导体晶片上。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种半导体器件，制造该器件的方法，和所使用的引线架，更具体地说，是关于把内引线连接到半导体晶片而无需使用任何焊接线的技术。把内引线连接到半导体晶片使用的最流行的技术是线连接方法。如附图说明图1所示，半导体晶片20被装配并固定在内引线52上。半导体晶片20的晶片电极(未表示出)由焊接线54，即金属细线连接到内引线51上，最终结构用树脂材料13封装。在这种连接方法中，为了将内引线与焊接线54相连接，即，使得内引线51的焊接能够进行，必须保证有大的焊接面积，减小该面积尺寸是困难的。由于各种必要的固态特性的限制，焊接线54通常用象金这样的贵重金属制成，因此增加了材料费用。此外，焊接线54很细，不论其材料如何，其机械强度都很差。在暴露状态下，焊接线54容易变形和拉断。因此在制造过程中，必须采取保护焊接线的措施。另外，当过大的电流流过用这种方法制造的半导体器件时，因为焊接线的电阻热，焊接线趋于熔断，以致使导体器件不能用于这种情况。即，不能用于产生冲击电阻问题的场合。如上所述，线连接方法有许多限制和问题。为了解决其中的某些问题，日本未审查的技术公告第3-21854号公开了图2本文档来自技高网...

【技术保护点】
扁平内引线连接到半导体晶片的半导体器件，其特征在于：所述内引线的侧面连接到所述半导体晶片上。

【技术特征摘要】
JP 1995-11-24 305332/951.扁平内引线连接到半导体晶片的半导体器件，其特征在于所述内引线的侧面连接到所述半导体晶片上。2.按照权利要求1的器件，其特征在于所述内引线在其预定位置具有收缩部分，使得所述内引线能够容易弯曲。3.按照权利要求1的器件，其特征在于在与所述半导体晶片连接的所述内引线末端侧面上形成凸起部份。4.按照权利要求1的器件，其特征在于在与所述的半导体晶片连接的所述内引线的末端平面上，形成储存预定量焊料的凹陷部份。5.制造半导体器件的一种方法，其特征在于包含以下步骤把半导体晶片装配在引线架的第一内引线上，在所述引线架的第二内引线的末端部分供给低熔点导电材料，扭转所述第二内引线以使所述末端部分的侧面正对着所述半导体晶片的晶片电极，在高于所述低熔点导电材料的熔点的温度下完成热处理，以便通过所述低熔点导电材料把所述内引线的末端部分连接到所述晶片电极上。6.按照权利要求5的方法，其特征在于所述低熔点导电材料是焊料。7.制造半导体器件的一种方法，其特征在于包括以下步骤在引线架的第一内引线上装配半导体晶片，扭转所述引线架的第二内引线，以使所述第二内引线的末端部分的侧面正对着所述半导体晶片的晶片电极，把所述第二内引线的所述末端部分浸没在低熔点导电材料的熔化桶内，以通过所述低熔点导电材料把所述末端部分连接到所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：海谷有一，高桥健彦，佐藤长光，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]