本发明提出一种用于半导体芯片（3）的承载装置，所述承载装置具有可键合的和/或可焊接的金属载体（1），所述金属载体具有用于半导体芯片（3）的装配区域（21）和焊接区域（20），其中载体（1）至少部分地由覆盖材料（2）覆盖，并且其中，在焊接...

本发明提出一种光电子器件，所述光电子器件具有：半导体本体（1），所述半导体本体具有外延层序列（2）；由半导体材料制成的载体衬底（6），所述载体衬底借助于焊层（7）与半导体本体（1）连接并且具有贯通接触部（9a、9b）。载体衬底（6）具有...

提出一种半导体器件（1），所述半导体器件具有半导体本体（2）和衬底（3），其中所述半导体本体以氮化物的化合物半导体材料为基础并且半导体本体设置在所述衬底上。在衬底中有针对性地构成杂质。此外，提出一种衬底和一种用于制造半导体器件（1）的半...

本发明提出一种发光二极管芯片，其具有：n型半导体层（3）；p型半导体层（4）；在n型半导体层（3）和p型半导体层（4）之间的有源区域（2）；侧面（14），所述侧面在侧向方向上对n型半导体层（3）、p型半导体层（4）和有源区域（2）限界；...

本发明提出一种光电子组件（100），所述光电子组件具有-至少一个发射辐射的半导体器件（1）；-至少一个转换元件（2），所述转换元件用于转换由半导体器件（1）发射的电磁辐射；-至少一个过滤机构（3），所述过滤机构包括过滤颗粒（31）或由所...

在光电子半导体构件（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体构件包括载体（2）以及至少一个光电子半导体芯片（3），所述半导体芯片施加在载体上侧（20）上。此外，半导体构件（1）包括至少一个接合线（4），经由所述接合线来电接触半导体芯片...

本发明涉及一种带有支承体（2）的电子装置（1），在所述支承体（2）上设置有至少一个连接面（6）。至少一个电子器件（3a，3b，3c）借助于接触材料（4）固定在连接面（6）上。遮盖面（5）包围在支承体（2）上的连接面（6）。至少一个被覆盖...

本发明提出一种具有半导体芯片（1）和载体（12）的光电子器件，所述载体借助于由金属或金属合金制成的连结层（14）与半导体芯片（1）连接，其中半导体芯片（1）具有朝向载体（12）的电连接区域（18，19），并且载体（12）在背离半导体芯片...

本发明涉及用于在有机电子器件中的空穴注入层的新型的金属有机物材料，其中所述有机电子器件尤其为如有机发光二极管（OLED）或者有机发光电化学池（OLEEC）或者有机场效应晶体管或者有机太阳能电池或者有机光检测器的发光器件。如尤其为有机发光...

提出一种半导体器件（2），所述半导体器件具有光电子的半导体芯片（2）和设置在半导体芯片（2）的辐射穿透面（20）上的光学元件（3）。光学元件（3）以高折射率的聚合物材料为基础。此外，提出一种用于制造半导体器件的方法。

在用于从半导体单晶体（100）分离半导体层的方法中，提供具有单一晶体结构的半导体单晶体（100）。通过借助于激光（106）的照射，将在所述半导体单晶体（100）中的分离面（104）内的晶体结构局部地改性到已改变的组织结构状态。通过选择性...

本发明提出一种发光二极管装置，所述发光二极管装置带有具有至少一个输出侧连接点（11）的压电变压器（1），和包括高压发光二极管芯片（21）的高压发光二极管（2），其中高压发光二极管（2）电连接到压电变压器（1）的输出侧连接点（11）上，并...

本发明提出一种光电子器件，其具有：电路板（1），所述电路板具有带有芯片连接区域（10）的上侧（1a）；光电子半导体芯片（2），所述光电子半导体芯片固定在芯片连接区域（10）上；壳体（3），所述壳体在电路板（1）的上侧（1a）处固定在电路...

提出一种可表面安装的光电子器件（1），所述光电子器件具有辐射穿透面（10）、光电子半导体芯片（2）和芯片载体（3）。在芯片载体（3）中构成空腔（31），在所述空腔中设置有半导体芯片（2）。模制体（5）至少局部地包围芯片载体（3），其中芯...

本发明提出一种发射辐射的半导体本体（14），所述半导体本体除了带有适合产生电磁辐射的有源区（4）的外延的半导体层序列（3）之外具有承载层，所述承载层设置成机械地稳固外延的半导体层序列（3）。此外，半导体本体（14）具有接触结构（9，91...

提出一种光电子器件（10），所述光电子器件具有：壳体（1）；至少一个设置在壳体（1）中的半导体芯片（2）；和浇注料（3）。半导体芯片（2）具有适合于产生和检测电磁辐射的有源层。浇注料（3）至少局部地包围半导体芯片（2），其中在浇注料（3...

本发明提出一种边缘发射的半导体激光器（1001），其具有：半导体本体（1），所述半导体本体包括适合于产生电磁辐射的有源区（5）；在所述有源区（5）上的至少两个小面（7），所述小面形成谐振器（55）；至少两个在侧向方向（100）上通过至少...

光电子器件（1）具有载体（2）和至少一个半导体芯片（3）。半导体芯片（3）设置在载体（2）上，并且设计用于发射初级辐射（6）。半导体芯片（3）至少部分地包围至少部分透明的介质（7），所述介质具有在载体（2）上方的高度（8）和沿着载体（2...

提出一种光电子半导体芯片，带有：半导体本体（1），所述半导体本体具有n型导电区域（12）和p型导电区域（13）；和单个的n型接触元件（2），n型导电区域（12）能够经由所述n型接触元件穿过p型导电区域（13）被电接触。

本发明涉及用于尤其在远场中混合具有不同波长的电磁辐射的光电子器件（1）。在支承体（2）上设有至少一个第一半导体芯片（3）以发射在第一光谱范围中的电磁辐射。此外，在支承体（2）上设有至少一个第二半导体芯片（4、4a、4b）以发射在第二光谱...