光电子器件的不同的实施形式具有光电子半导体芯片（104），所述光电子半导体芯片具有接触侧（106）和与接触侧（106）对置的辐射耦合输出侧（108）。光电子器件具有芯片载体（102），在所述芯片载体上将半导体芯片（104）施加在其接触侧...

本发明提出一种具有发光面（6）的面光源，所述面光源包括至少一个半导体本体（2），所述半导体本体在工作时从其前侧（3）发射电磁辐射，并且所述面光源还具有耦合输出结构（7），所述耦合输出结构适用于在发光面（6）上产生光密度的局部变化，使得相...

本发明提出带有半导体层序列（5）的发光二极管芯片，所述半导体层序列具有磷化物化合物半导体材料，其中所述半导体层序列（5）包括p型半导体区域（2）、n型半导体区域（4）和设置在所述p型半导体区域（2）和所述n型半导体（4）之间的用于发射电...

一种有机发光装置（100），具有带有第一侧面（400）和第二侧面的有源层（106）用于产生辐射，其中第一侧面和第二侧面在角棱边（404）处彼此相遇。所述有机发光装置还具有用于将第一类型的载流子注入到有源层（106）中的并且沿着第一侧面（...

光电子器件包括包含热固性塑料的壳体（1）、在壳体（1）中的凹部（2）、设置在凹部（2）中的发射辐射的构件（3），其中热固性塑料包括选自下述的材料：氨基塑料热固性塑料、尿素热固性塑料、三聚氰胺甲醛热固性塑料、团状模塑料、聚酯树脂、酚醛树脂...

光电子器件，包括壳体（1）、在壳体中的凹部、设置在所述凹部中的发射辐射构件（4），所述壳体包括带有第一热塑性塑料的第一子区域（2）和带有第二热塑性材料的第二子区域（3），其中所述第一热塑性塑料通过辐照交联。

提出了一种用于在至少一个部件（1）的至少一个表面（11）上制造派瑞林覆层（2）的方法，其中提供具有派瑞林单体的第一气体（4），并且通过借助第一喷嘴（3）将具有所述派瑞林单体的所述第一气体（4）引导至所述至少一个表面（11）来将所述派瑞林...

本公开涉及光电装置，具体涉及用于接触光电装置的布置。光电装置（200）包括弹性电极（208）。描述了用于形成弹性电极（208）的方法。

本发明涉及一种具有半导体芯片（1）和转换元件（2）的发射辐射的器件（10），其中半导体芯片（1）包括适合于产生电磁辐射的有源层和辐射出射面（11）。转换元件（2）包括基体材料（2a）和发光材料（2b），其中转换元件（2）设置在半导体芯片...

提出一种具有半导体层序列（2）的发光二极管芯片，所述半导体层序列具有适合于产生电磁辐射的有源层（3），其中发光二极管芯片（1）在前侧具有辐射出射面（4）。发光二极管芯片（1）在对置于辐射出射面（4）的后侧至少局部地具有包含银的镜层（5）...

一种半导体二极管具有第一导电类型的第一半导体层（102）和带有掺杂的第二导电类型的第二半导体层。第二半导体层具有与第一半导体层连接的竖直的电穿通接触区域（106），在所述电穿通接触区域中改变掺杂，使得电穿通接触区域（106）具有第一导电...

本发明涉及一种半导体芯片（1），其具有半导体本体（2），该半导体本体包括带有设计用于产生辐射的有源区（25）的半导体层序列。在半导体本体（2）上设置有反射结构（3），反射结构具有反射层（4）以及至少局部地设置在反射层和半导体本体之间的介...

在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体芯片包括支承体（2）和生长在支承体（2）上的半导体层序列（3）。半导体层序列（3）基于氮化物化合物半导体材料，并且包括至少一个用于产生电磁辐射的有源区（4）以及至少一个波导层...

提出了一种电阻元件（1），具有-基体（2），所述基体用半导体材料制成，-第一接触元件（5），所述第一接触元件与基体（2）导电连接，和-第二接触元件（6），所述第二接触元件与基体（2）导电连接，其中-基体（2）具有第一主面（2a），凹部（...

发光设备（1）具有用于发射具有第一电磁光谱（3）的电磁辐射的第一光源（2）。此外，照明装置具有用于发射具有第二电磁光谱（5）的电磁辐射的第二光源（4）。第一和第二电磁光谱彼此不同。第一电磁光谱的强度最大值位于人眼的光谱敏感度（21）的范...

一种有机发光装置（100），包括用于产生电致发光辐射的有源层和用于导出在电致发光过程中形成的热量的导热层（206）。导热层（206）具有大于200W/mK、尤其大于500W/mK的热导率。

一种光电半导体构件，具有半导体芯片（200、404），所述半导体芯片具有用于发射初级辐射的有源侧（204）和设置在有源侧（204）上的接触端子（108）。在有源侧（204）上安置发光转换元件（210）。在有源侧（204）和发光转换元件（...

本发明说明了一种光电半导体芯片（100），其具有第一半导体层序列（1）和第二半导体层序列（2），所述第一半导体层序列包括多个微型二极管（11），所述第二半导体层序列包括有源区（12），其中，第一半导体层序列（1）和第二半导体层序列（2）...

提出一种半导体芯片（1），其具有带有半导体层序列的半导体本体（2），其中用于产生辐射的有源区域（20）设置在n型导电的多层结构（21）和p型导电的半导体层（22）之间。在n型导电的多层结构中，形成具有至少一个掺杂尖峰（4）的掺杂分布。

在光电子半导体芯片(100)的至少一种实施方式中，它包含基于GaN、InGaN、AlGaN和/或InAlGaN的半导体层序列(1)。半导体层序列(1)包含p掺杂的层序列(2)，n掺杂的层序列(4)，和位于p掺杂的层序列(2)与n掺杂的层...