在光电子半导体组件（10）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体组件包括发射白绿光的第一光源（1）。第一光源（I）具有在蓝色光谱范围中发射的半导体芯片（4），在所述半导体芯片（4）上安装第一转换元件（II）。此外，半导体组件（10）包括...

本发明涉及一种用于制造辐射转换元件的方法，其中将溶液施加在衬底上，由溶液形成凝胶，并且对凝胶进行热处理。此外，提供一种根据所述方法制造的辐射转换元件。此外，提供一种包含所述辐射转换元件的光电子器件。

本发明提出一种光电子器件（10），所述光电子器件包括壳体（1）、发射辐射的半导体芯片（2）和探测辐射的半导体芯片（3）。在壳体中构成第一腔（4a）和第二腔（4b），其中发射辐射的半导体芯片（2）设置在第一腔（4a）中并且借助于第一浇注料...

提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，其中将第一波长转换层（8）施加到半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方，其中施加方法选自：沉降、电泳。此外，在半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方施加第二波长转换层（4），其中第二波长转...

提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件具有：-载体膜（1），所述载体膜具有第一表面（11）和与第一表面（11）相对置的第二表面（12）；-至少一个导电的接触层（2），所述接触层设置在第一表面（11）上，局部地覆盖第一表面（11）...

本发明涉及一种用于制造电子器件（240）的方法（100），所述方法能够具有：借助于原子层沉积法将电极生长层（226）施加（102）在层结构上或施加在层结构上方；并且将电极（232）施加（104）在电极生长层（226）上。

在各种实施例中，电子器件（100）具有：第一电极（104）；在第一电极（104）上或上方的有机功能层结构（106）；在有机功能层结构（106）上或上方的第二电极（112）；在第二电极（112）上或上方的介电层（114）；和在介电层（11...

提出一种用于制造陶瓷的发光转换元件的方法以及一种借此制造的发光转换元件和一种具有发光转换元件的光电子构件。所述方法包括下述步骤：A）提供具有第一主表面、第二主表面和第一横向表面的造型体，其中造型体包括陶瓷材料和发光转换材料；B）借助于结...

本发明涉及一种半导体器件（100），所述半导体器件具有发射辐射的半导体芯片（1）、承载衬底（2）和膜（3）。承载衬底（2）在上侧（20）上具有能导电的接触带（21a，21b）。膜（3）设置在芯片（1）的背离承载衬底（2）的辐射出射侧（1...

本发明的一个实施形式说明了发射辐射的器件（1），其包括：包含有半导体材料的辐射源（10），所述辐射源在工作时发射第一波长的第一辐射；透明的本体（20），所述透明的本体包含有基质材料和无机填充料并且至少部分地设置在第一辐射的光路（11）中...

提出一种用于制造用于发射辐射的半导体器件的至少一个转换薄板（4）的方法，其中将基本材料（3）连同包含在基本材料中的转换材料借助于双层模板（1）施加到衬底（2）上。此外，提出一种用于发射辐射的半导体器件的转换薄板（4），所述转换薄板具有基...

本发明涉及一种光电子半导体器件（10），其具有半导体本体（1）、介电层（2）、镜（3）和附加层（4）。所述半导体本体（1）具有用于产生电磁辐射的有源区（1c）、用于电接触的n型接触部（1a）和p型接触部（1b）。所述介电层（2）设置在半...

本发明提出一种转换组件，所述转换组件用以设置在发射辐射的半导体芯片的辐射耦合输出面的下游，所述转换组件具有：转换元件（1），所述转换元件具有第一主面（11）、与第一主面（11）相对置的第二主面（12）以及至少一个侧面（13），其中侧面（...

在方法的至少一个实施方式中，所述方法用于经由挤压制造使用在光电子半导体器件（10）中的硅膜（2）。所述方法包含下述步骤：将模具膜（1）引入压模（5）；将载体膜（3）引入压模（5），其中将所述载体膜（3）施加在衬底膜（4）上，并且所述衬底...

提出一种光电子半导体组件，其具有无衬底的光电子半导体芯片（1）和金属载体（2），其中所述光电子半导体芯片在上侧上具有第一主面（1a）并且在下侧上具有第二主面（1b），所述金属载体设置在光电子半导体芯片（1）的下侧上，其中金属载体（2）在...

本发明提出了一种用于光电子半导体器件（10）的壳体（1），所述壳体具有带有安装平面（20）的壳体本体（2），并且具有带有第一连接导体（31）和第二连接导体（32）的导体框架（3）。所述壳体本体（2）局部地使所述导体框架（3）变形。所述导...

本发明的一个实施形式描述一种光电子半导体芯片（1），包括：具有第一和第二主面（11，12）的有源层（10），其中所述有源层（10）包括半导体材料，并且在所述半导体芯片（1）工作时发射或接收辐射；结构化的层（20），所述结构化的层具有用于...

提出一种用于光电子半导体器件（10）的壳体（1）。壳体（1）具有壳体本体（2）、第一连接导体（31）和第二连接导体（32），其中第一连接导体（31）和第二连接导体（32）在竖直方向上分别延伸穿过壳体本体（2）。此外，提出一种具有所述壳体...

提出一种用于光电子半导体本体的薄层封装（11），所述薄层封装具有借助于PVD法沉积的PVD层（6）和借助于CVD法沉积的CVD层（10）。此外，提出一种具有薄层封装的光电子半导体本体和一种用于制造薄层封装的方法。

具体说明了一种光电子半导体芯片，其包括半导体层序列（2）和载体基底（10），其中，第一电接触层（7）和第二电接触层（8）至少布置在载体基底（10）与半导体层序列（2）之间的区域中并且通过电绝缘层（9）而互相电绝缘；以及包括布置在半导体层...